[参考译文] TMS320C5505：到 ISSI mSDRAM 的外部 SDRAM 接口- EMIF 寄存器配置和测试/验证...

我已将您的查询转发给 C55x 软件团队。 他们的反馈应发布在此处。

BR
Tsvetolin Shulev

[引用 user="Cvetolin Shulev-XID"]我已将您的查询转发给 C55x 软件团队。 他们的反馈应发布在此处。

BR
Tsvetolin Shulev

[/报价]

尊敬的 Tsvetolin：

至於这个问题，我至今没有得到任何意见，也许是因为在木工中失去了。 如果这个论坛不是最好的发布论坛、您可以查看一下它、或许可以让我去一个更合适的论坛吗？

谢谢、Mike

Mike、

此外、您可能希望验证您在 C5505或 C5515 EVM 上的测试、这种情况下信号可能会通过串联电阻器。

http://support.spectrumdigital.com/boards/evm5515/revb/

制作这些 EVM 的 Spectrum Digital 还提供了用于其 SDRAM 存储器测试(以及其余电路板组件)的源代码、网址 为：http://support.spectrumdigital.com/boards/evm5515/revb/files/evm5515_EVM_BSL_revb.zip

希望这对您有所帮助、
标记

Mark、您好！

感谢您的回复。 感谢您的宝贵建议。 我已经测试过定制板的其他部件、但已经回到外部 SDRAM、并一直在研究初始和最基本的初始测试。

实质上、如果用户认为 EMIF 设置正确、则所有总线 进入/离开 DSP/SDRAM 的命令行和时钟工作正常、因此基本上在 SDRAM 部分声明全局变量并更改其值应该是为通过/不通过类型测试进行初始测试的方法。 至于上升时间、延迟和时钟稳定性等、以便稍后进行可靠的测试。

因此、我所要做的基本上就是检查是否有移动的东西、并在这个新的 SDRAM 存储空间中观察到这些东西。

因此，我已将 code composer 项目的.cmd 文件中的数据段声明为：

存储器

｛
   ISSI_SDRAM (RWIX)   ：origin = 050000h，length = 0800000h
｝

SECTIINONS

｛

。

。

   .SDRAM         ：>ISSI_SDRAM，fill = 0xBEEF

｝

然后使用 pragma 指令执行全局声明：

#pragma DATA_SECTION   (SDRAM_BYTE、"SDRAM")；
uint32 SDRAM_BYTE=0；

这应该有效地告诉编译器和链接器 SDRAM_BYTE 是在 SDRAM 数据段中声明的全局变量、它具有到外部地址源= 050000h 的映射。

现在，如果有从0x050000开始的内容，并且内存工作正常，我应该能够对其进行写入和读取...

我这么做了、将 SDRAM_BYTE 从= 0修改为0xFFFF、修改为0xA0A0、并使用调试器/仿真器单步执行、同时在 CCS 上查看该全局变量。

监视窗口显示当我向它写入值时 SDRAM_BYTE 被正确修改... 乍一看、除了我错误地假设编译器/链接器/调试器与外部存储器配合工作的方式有太多问题外、似乎我获得了积极的初始结果。 也就是说，我可以写入该内存部分中分配的变量，并且可以从中读取...

您是否会说这是一种快速的初始测试方法、应按预期/工作

如果这不能按预期工作，SDRAM_BYTE 变量中的值将保持和读取垃圾，而不管写入什么？！？

(基本上、由于我对 EMIF 总线的访问有限、由于10层电路板通过埋孔与 BGA 存储器进行布线、我希望所有器件都能按预期工作、 除非出现完全错误，否则如果可能，我会限制在内存总线中添加逻辑探测器，因为这样做会变得非常困难和耗时...)

您对这种初始方法有何看法？

此致、

Michael

因此，一个简短的更新，我的器件在#pragma DATA_SECTION (SDRAM_byte，"SDRAM"行上出现错误；实际上，我必须将该段包含在中。 在 SDRAM 之前作为".SDRAM"进行了更改... 很遗憾、我在加载编译和链接的.out 文件时遇到"数据验证错误"。 (笑声) 至少这告诉我 EMIF 配置或硬件配置的某个位置存在问题。
感谢您的建议、我认为我可以通过更多可用于测试 SDRAM 的选项进一步了解这一点。

此致、
毫米

[引用用户="Mark McKeown "]

尊敬的 Mike：
(笑声)

(笑声)
   
使用 CCS、您应该避免执行代码或将结果存储在被测存储器中。 假设 DSP 的内部 SARAM 和 DARAM 经过测试并使用它们。 我会将程序加载到执行所有存储器器件初始化的内部存储器中、以便您可以避免依赖于 GEL 文件。 执行 GEL 脚本比执行通过 CCS 加载的程序慢。
(笑声)

(笑声)
   
希望这对您有所帮助、
标记

[/报价]

Mark、您好！

因此、我最终在 SARAM/DARAM 中执行了 EMIF 配置代码、并按照您的帖子中的建议执行了一些 C 存储器测试例程。

现在、我得到了一些积极的结果、数据总线测试从0x50000一直到0x400000。 不能再好了…… 无论如何、我都会对其进行研究。

但是、我的问题与您建议在 SARAM/DARAM 中加载代码并在该存储器中执行 SDRAM 测试例程有关。

这对于初始调试很有意义、正如您所说的、最好避免在 GEL 脚本中运行 EMIF 配置。

但是、最终当所有程序都运行时、如果某些应用程序代码和/或某些缓冲区需要存储在 SDRAM 段中、则需要在调试器执行之前加载已编译和链接的.out 程序。

如何建议将 EMIF 配置为使用除 GEL 脚本以外的外部 SDRAM、以便将.out 正确加载到 SDRAM 段中(否则 CCS 将返回内存访问错误)？

此致、

毫米