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[参考译文] TMS320C6678:提高了功耗

Guru**** 2583915 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320C6678

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/631937/tms320c6678-increased-power-consumption

器件型号:TMS320C6678

客户对20  多个 TMS320C6678电路板进行了测试、发现20个电路板中有2个电路板的功耗比其他电路板高10瓦。 经过调查、他们发现主要的功耗是核心功耗。 正常电路板的 CVDD 电源电流为8.5A、但异常 CVDD 电源电流为14.3A、比正常电路板高6.3w。 电路板 CVDD1比正常电路板共1.2W。 您能否检查一下并说明这种情况的发生原因?

 

由于开关电源系统中有许多大容量电容器、因此关断电源需要一些时间。 这是一个相对较慢的过程。 DSP CVDD 电源和 CVDD1电源可能会经历临时重启。 这种现象导致磁芯电流增加? 请参阅附件。

 

黄色的 LONE 是 CVDD、蓝色的是5V 至电路板。

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    您好!

    他们是否遵循硬件设计指南? 特别是第2章"电源"。
    他们是否还对 TMS320C6678器件使用了功耗模型:
    www.ti.com/.../sprm545
    以确定其电源的正确结果。

    这出现在工具和软件选项卡下的产品文件夹中:
    www.ti.com/.../toolssoftware

    此致、
    Yordan
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    Yordan、您好!  

    感谢您的回复。 除了使用固定电压(1.09V)为 CVDD 供电外、我们还遵循了指南。 根据我们的经验,这不是原因。 附件中提供了电源电路原理图。

    每个板上有两个 TMS320C6678。  开始时、运行 同一程序的所有电路板的功耗约为23瓦。  所有电路板均正常。 但经过一系列实验、我们发现 一些电路板的功耗变得异常。  例如、一个电路板的功率耗散变为33瓦、 一个电路板的功率耗散变为29瓦、 一个电路板的功率耗散变为27瓦、等等。 DSP 的 CVDD 电源电流和这些异常电路板的 CVDD1电源电流变得更大。 正常电路板的功耗仍约为23瓦。

    那么、原因可能是什么?  断电时、CVDD 电源和 CVDD1电源的临时重新启动是否是原因?

    此致

    LIN

    e2e.ti.com/.../power_5F00_part.pdf

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    我将查看此内容并进行更新。

    此致、
    Yordan
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    您好!

    我已要求工厂团队在这个问题上提供帮助。
    当您说“每块电路板上有两个 TMS320C6678”时,是否使用了完全相同的器件(相同的速度等级)?
    此外、我不确定 在断电时 CVDD 电源和 CVDD1电源是否会临时重新启动。  

    此致、
    Yordan

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    Nancy、

    必须使用 AVS 电源解决方案。  我们不支持不使用它的设计。  众所周知、当不使用 AVS 时、某些芯片的功耗可能会明显高于额定限值。  此外、由于这种较高的功耗、器件可能会变得比预期的温度高、进而导致功耗进一步增加。  在超出额定限值的条件下运行器件会严重影响器件的可靠性。

    您还提到、在电源缓慢衰减期间、器件会"尝试重启"。  当器件在断电序列期间应以 PORz 低电平复位时、如何发生这种情况?

    Tom

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    您好!
    这两个 DSP 是完全相同的器件(都是 TMS320C6678ACYPA25)。 断电时、CVDD 电源和 cvdd1电源的临时重新启动肯定是异常的。 我们已经修复了它。 但我们不确定这是否是功耗增加的原因。
    此致、
    LIN
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    您好、Tom、

    感谢您的回复。 因此、功耗增加的原因是不使用 AVS 电源解决方案?
    在电源缓慢衰减期间、CVDD 和 CVDD1电源芯片尝试重新启动。 CVDD 电源芯片是 TPS56221DQPT。 CVDD1电源芯片是 TPS548A20RVER。
    此致、
    LIN
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    LIN、

    缺少 AVS 无疑是功耗增加的可能原因。  过热是另一种可能。

    请提供"良好器件"和"高电流器件"的一些特定数据。  请包括:

    1. 在 C6678的电容器上测量的 CVDD 和 CVDD1电压
    2. 在 与负载串联的开尔文电阻器上测量的 CVDD 和 CVDD1电流
    3. C6678的稳态外壳温度
    4. C6678在之前的测量期间的运行条件-即、当所有8个内核运行一个 RTOS 应用程序时、执行矩阵乘以存储在 DDR3存储器中的代码时、内核时钟以1000MHz 运行时、复位状态
    5. 针对您的用例完成了功耗估算电子表格

    Tom