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[参考译文] OMAP-L137:OMAP-L137晶振选择

Guru**** 2542970 points
Other Parts Discussed in Thread: OMAP-L137

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/618673/omap-l137-omap-l137-crystal-selection

器件型号:OMAP-L137

OMAP-L137的数据表(第61页)指出、对于20MHz 至30MHz 的输入时钟频率、建议使用 ESR 最大为60欧姆的晶体、并且典型负载电容值为10-20pF。 我一直在搜索采用4-SMD (2.5mm x 2.00mm)封装的晶体、以替换设计中现已过时的原始晶体。 这是我发现最符合 OMAP-L137要求的晶体:  

制造 PN: NX2520SA-24.576000MHZ

制造: NDK America, Inc.

它具有10pF 的负载电容(要求为10-20pF)

但是、它具有70欧姆的 ESR (数据表中的要求最大为60欧姆)。 这会是个问题吗?

谢谢

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    我已将此内容转发给硬件设计专家。 他们的反馈应发布在此处。

    BR
    Tsvetolin Shulev
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    您好!

    [引用]但是、它的 ESR 为70欧姆(数据表中的要求最大值为60欧姆)。 这是否是问题?
    晶体可以通过电感器、电容器和电阻器的串联电路以及与这三个电感器并联的分流电容器建模。 电阻器的值称为等效串联电阻(ESR)、它与石英晶体内部的大容量损耗有关。 ESR 量化晶体的负载以及在器件振荡器引脚上看到的谐振电路。
    当电阻值达到某个点时、ESR 值变得很重要、因为振荡器电路无法充分驱动晶体。 这可能会导致晶体在不需要的模式下缓慢启动或运行。

    因此、在某些用例中、这可能会导致您的器件出现问题。 我建议遵循数据表中的建议、查找符合要求的晶体。

    此致、
    Yordan
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    我假设负载电容也是如此?

    对于 OMAP-L137、时钟信号必须通过通路将 DO 路由至 F2 (OSCIN)、F1 (OSCOUT)和 E2 (OSCVSS)引脚。 话虽如此、在为晶体选择串联电容值时、您通常是否会在该值基础上增加大约3 - 5pF 的电容值以考虑寄生电容?

    示例:Cload =((C1+Clor寄 生)*(C2+Clor寄 生))/((C1+Clor寄 生)+(C2+Clor寄 生)))

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    您好!

    正确、负载电容必须满足数据表要求。 如需更多指导、您可以查看以下 wiki:
    processors.wiki.ti.com/.../_AM1x_Schematic_Review_Checklist

    此致、
    Yordan