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[参考译文] TMS320C6748:4位 ECC NAND 闪存即将推出

Guru**** 2618835 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/662126/tms320c6748-4-bit-ecc-nand-flash-going-away

器件型号:TMS320C6748

不同的供应商告诉我们、4位 ECC NAND 闪存将会消失。 所有这些似乎都是以8位及更高的位来处理闪存板上的 ECC 计算。 这对 C6748上的引导加载程序有何影响?

谢谢、

布莱尔

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    您好、布莱尔、

    我已将其转发给设计团队。

    他们将直接在此处发布反馈。

    此致、
    Yordan
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    遗憾的是、这不仅是一个引导加载程序级别问题、也是一个器件级别问题。 该器件内置 EMIFA IP、在使用 HW 对 NAND 闪存进行读/写访问期间、该 IP 仅支持高达4位 ECC。

    从引导角度来看、我们将无法支持具有更高 ECC 要求的 NAND 器件、因此我们建议使用 SD/MMC、并行 NOR 或 SPI 闪存等其他引导模式。
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    但是、引导加载程序不能简单地支持没有 ECC 的模式、并允许闪存芯片在闪存内置 ECC 的情况下处理它?

    布莱尔

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    ROMn`t 器是在器件中预编程的软件、无法更改。 在默认情况下、NAND 引导加载程序的设计始终使用 NAND 的 ECC 数据、因为 NAND 闪存器件在其生命周期中存在位翻转、而 ROM 引导加载程序旨在在现场器件的整个生命周期内可靠地引导器件。 引导加载程序中没有绕过 ECC 机制的选项。

    这是一款n`t 8-10年前设计的器件、我们在设计 ROM 引导加载程序时没有使用此用例。 我们的一些较新器件(如 AM437x)具有通知引导 ROM 不使用使用引导开关的 ECC 机制、并允许 NAND 处理此问题的机制。

    此致、
    Rahul

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    谢谢。