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[参考译文] AM4376：AM4376上的 DDR3大容量旁路电容器和高速旁路电容器

admin
Guru**** 2558250 points
Other Parts Discussed in Thread: AM4376, TMDSEVM437X

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/625566/am4376-ddr3-bulk-bypass-capacitors-and-high-speed-bypass-capacitors-on-am4376

器件型号：AM4376
主题中讨论的其他器件： TMDSEVM437X

您好！

我对 AM4376数据表中的表5-55和5-56有疑问。
在表中、VDDS_DDR 大容量旁路电容器计数为2个器件、VDDS_DDR 大容量旁路总电容为20uF、DDR3器件的 HS 旁路电容器计数为12个器件、DDR3器件的 HS 旁路电容器总电容为0.85uF。
但是、TMDSEVM437X 上的电容器和电容数量似乎低于数据表中的描述。
如何了解数据表中的值？
我是否可以将电容器和电容的数量用于客户的定制板？

此致、

Nomo

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好、Nomo、

    如果参考 EVM 和数据手册之间存在差异、我们建议始终遵循数据手册。
    因此、我建议您使用表5-55和5-56中所述的内容：
    表5-55.
    1 VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量2个器件
    2 VDDS_DDR 大 μF 旁路总电容为20 μ F

    表5-56.
    7个 DDR3器件 HS 旁路电容器数量(6) 12个器件
    8 DDR3器件 HS 旁路电容总电容(6) 0.85 μF

    此致、
    Yordan