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[参考译文] AM3358:DDR3设计问题

Guru**** 2581345 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/632645/am3358-ddr3-design-issues

器件型号:AM3358

客户将 DDR3 (MT41J256)配置为以300米的速度运行、但 DDR 实际上只能在自己的设计板上以100米的速度运行。 确定这不是配置问题、因为已经对 EVM 进行了测试。他已经检查了硬件设计、发现 ARM 和 DDR3之间没有阻抗匹配。 这可能是根本原因吗? 他还对控制线是否需要 阻抗匹配(确保数据/地址线需要)以及值(50Ω?)感到困惑。 一种官方设计是33Ω。  

我在 DDR3设计方面没有经验。 请帮帮他。

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好!

    AM335x 数据表 Rev. J 的第7.7.2.3节提供了 DDR3设计指南。DDR3设计必须具有 PCB 布线阻抗。 单端阻抗必须为50Ohm、差分阻抗必须为100Ohm。

    除此之外、最小 DDR3时钟频率为303MHz。 我不明白它们如何以100MHz 运行。