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[参考译文] TMS320C6678：DDR I/F 的 IBIS 参数

admin
Guru**** 2553450 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/612571/tms320c6678-ibis-parameters-for-ddr-i-f

器件型号：TMS320C6678

您好！

我想知道 C6678上 DDR3 I/F 的输出和 ODT 阻抗设置。

Q1：KeyStone 器件的 DDR3设计要求"一文中描述了输出和 ODT 阻抗为45欧姆、但我可以更改这些值吗？  如果是、请告诉我要更改的寄存器信息。

Q2：我使用 IBIS 模型(sprm537)进行 DDR3仿真。 我想用40欧姆模拟输出阻抗设置、用50欧姆模拟 ODT 设置。 因为 IBIS 模型包含这些参数。  如果我无法更改 C6678的输出和 ODT 阻抗、请告诉我为什么 IBIS 模型包含45欧姆以外的参数。

 

此致、
H.U

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    您好！

    DDR3控制器中有以下寄存器：
    SDRAM 配置寄存器(SDCFG)
    DDR_Term [位26-24]=>定义端接电阻器值
    Dyn_ODT [位22-21]=>动态片上终端

    此外、您还可以：
    SDRAM 输出阻抗校准配置寄存器(ZQCFG)

    当然、您的电路板设计应严格遵循数据表建议。

    此致、
    Yordan
  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    Yordan、您好！

     

    感谢你的答复。

    我是 IBIS 模型的初学者、请指出我的想法是否错误。

     

    在以下文档中、KeyStone 1的输出阻抗被描述为45欧姆。

    那么、我是否必须在 IBIS 模型中选择 CSCDVGPBFZ_FAST_9mA_5 PER 或 CSCDVGPBFZ_FAST_9mA_5PER 或 CSCDVGPBFZ_SLOW_9mA_5PER CSCDVGPBFZ_LOST_9mA_5PER？

     

     

    同样、对于 ODT 阻抗、我应该选择 CSCDVGPBFZ_REC_HT_TH_9mA_5per 还是 CSCDVGPBFZ_REC_FT_TH_9mA_5per？

     

     

    此致、

    H.U

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    Yordan、您好！

    我需要您的支持。 请尽快返回我们。

    此致、
    H.U
  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    您好！

    我们将对此进行研究。

    此致、
    Yordan
  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    Yordan、您好！  

    请告诉我有关此问题的当前状态。

    此致、
    H.U

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    HU、

    Yordan 提供了一些信息，增加了混乱。  C6678中 SDCFG 寄存器的设置适用于 SDRAM。  它们用于设置 SDRAM 模式寄存器中的 DDR_Term、DYN_ODT 和 SDRAM_DRIVE 字段。    DSP 中 PHY 中的阻抗不可编程。  它们是参考图中显示的值。  IBIS 模型包含9mA 的驱动器配置。  这是应该用于45 Ω 驱动器的电阻。

    Tom

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    您好、Tom、

    让我确认我是否得到了它。
    我可以仅使用9mA 驱动器配置吗？ 如果是、为什么 IBIS 模型包含9mA 以外的设置？

    此致、
    H.U

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    您好、H.U、
    设计团队提供的 IBIS 模型是通用的、不包含 C6678的限制。 IBIS 模型应仅具有9mA 选择、但其他模型不会被删除。 我们有一个开放的行动来清理模型、但尚未完成。
    此致、
    Bill