您好!
基于 K2L EVM、建议为 CVDD1使用1.0V、对吗? 但在 66AK2L06 数据表中、规定的 CVDD1应使用0.95V (第215页)、在第212页中建议对 cvdd1使用1.0V (标称值)、哪一个是正确的? 如果我为 CVDD1使用1.0V、66AK2L06是否能够开启? 目前、我遵循 EVM 板中所述的相同电源时序、但我的板仍然无法启动、您能在这方面提供帮助吗? 谢谢。
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谢谢。 我现在能够使用仿真器连接到芯片、并使用 CCS 进行调试。 我使用与 EVM 板相同的寄存器设置。 但是、我的芯片无法从闪存引导。 我通过边界扫描进行检查、似乎我的 SPI 或闪存和 DDR3存储器已正确连接、我可以运行一些测试、通过 JTAG 和边界扫描测试它们。 我是否遗漏了任何步骤?我将.gph 扩展文件加载到引导闪存中、它是否支持? 或者、我需要将.gph 文件转换为二进制文件、然后再将其加载为二进制文件? 谢谢
我是 Linux。
第二个问题、我尝试通过仿真器、按顺序调试存储在内部 RAM 中的映像、对吧? 然后图像将移动到 DDR3? 我现在甚至无法从 DDR3进行写入/读取。 我遵循 TI 提供的电子表格中为2 x DDR3 (MT41K256M16TW-107 IT:P)定义的寄存器设置。 如何确保为初始化设置正确的寄存器?
还是需要首先设置写入水平? 我将 fly-by 拓扑用于 DDR3路由。 希望您能给我一个机会。 非常感谢!
Yordan、您好!
我们能够找到 gal 文件并加载到 CSS 以测试内存读写。 但是、我们得到下面列出的此错误。 您知道 错误错误-1205 @ 0x8000000是什么吗? 我是否需要更改内存块位置?
ARM_A15_0:GEL 输出:已配置 PLL (CLKIN * PLLM/PLLD/PLLOD = PLLOUT):
ARM_A15_0:GEL 输出:PLL 已配置(122.879997MHz * 16/1/2 = 983.3399978MHz)
ARM_A15_0:GEL 输出:DDR3 PLL 设置...
ARM_A15_0:GEL 输出:DDR3 PLL 设置完成、DDR3A 时钟现在以533MHz 运行。
ARM_A15_0:GEL 输出:DDR3A 初始化完成
ARM_A15_0:GEL 输出:存储器测试写入内核:0、存储器启动:0x80000000、存储器大小:0x00000100、值:0x0xAAAAAAAAAAAAAAAAAA ...
ARM_A15_0:GEL 输出:存储器测试读取内核:0、存储器启动:0x80000000、存储器大小:0x00000100...
ARM_A15_0:读取长度为0x4的第0页上0x8000000处的存储器块时遇到问题:(错误-1205 @ 0x8000000)器件存储器总线存在错误、可能挂起。 验证内存地址是否在有效内存中。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如、较低的 TCLK)。 (仿真包6.0.222.0)
ddr3A_write_read_test ()不能被评估。
目标读取0x8000000失败
在 read_data=*((unsigned int *) mem_location)[tcievmk2l_arm.gel:2406]
在 ddr3A_write_read_test () arm_A15_0:读取寄存器 REG_system_target_config 时出现问题:(错误-1141 @ 0x3D58)设备未响应请求。 重置设备、然后重试此操作。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如、较低的 TCLK)。 (仿真包6.0.222.0)
ARM_A15_0:读取寄存器 REG_SYSTEM_MMU_CONFIG 时出现问题:(错误-1141 @ 0x3D58)器件未响应请求。 重置设备、然后重试此操作。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如、较低的 TCLK)。 (仿真包6.0.222.0)
ARM_A15_0:CPU 复位失败(SW):(错误-1141 @ 0x3D58)器件未响应请求。 重置设备、然后重试此操作。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如、较低的 TCLK)。 (仿真包6.0.222.0)