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[参考译文] TDA3:有关断电序列的问题

Guru**** 2559950 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/610377/tda3-question-about-power-down-sequence

器件型号:TDA3

您好!

 我对断电顺序有疑问、如图5-2所示。 TDA3x DM 上的断电排序。

1) 1)注释4如下所示:

 (4) VDD_dspe 可以在 VDD/vpp 之前或同时下降。

 剂量 Vpp 是什么意思?

2) 2)关于 Note7:

 (7)在 PORz 置位后、可以随时关闭 XI_osc0、并且必须在 VDDA_osc 电压轨关闭之前关闭。

谁关闭 Tun 或控制 XI_osc0? XI_osc0连接晶体。 因此、我无法控制它。

此致、
肯什

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    您好 Kenshow、

    我已将您的问题转发给区经理团队进行评论。

    此致、
    Yordan
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    您好、kenshow、

    区经理团队将尽快回复。 在此之前:

    VPP 是早期器件上的电源引脚。 我在 TDA3中找不到 vpp 引脚。 它可以与 VDD 内部连接。 在所有情况下、用户只能参考 VDD 引脚。

    注7应参考外部时钟场景(无晶体、但外部方形时钟馈送到 XI_osc0)。 借助外部振荡器、用户可以控制时钟-例如、在 POR 时禁用时钟等

    此致、

    STAN

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    您好、Stan、

    谢谢你。

    此致、
    肯什
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    您好、Stan、

    我想确认以下含义。
    "在 PORz 低电平后、100μs 能够在不超过1 μ s 的时间内开始斜降"
    这是否意味着它们必须在 PORx 低电平后100us 内开始下降?

    此致、
    肯什
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    您好、Stan、

    我还有其他问题。

    1) 1)不早于 XXXμs μ s (这是上一个问题)
    "在 PORz 低电平后、100μs 能够在不超过1 μ s 的时间内开始斜降"
    这是否意味着它们必须在 PORx 低电平后100us 内开始下降?

    2) 2)关于注释3
    "如果所有 vddshv_*为1.8V、则 VDD_dspeve 或 VDD 都不应在不超过100μs μ s 的时间内开始斜降
    PORz 低电平有效后。"

    3) 3)关于 Note7
    "必须在 VDDA_osc 电压轨关断之前关闭"
    因此、我认为图中的注7是错误的。 应延长时间、直到 VDDA_osc 关断完成。

    此致、
    肯什
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    您好 Kenshow、

    下面是我的理解。 我将通知区经理团队以提供帮助。

    1) POR =置位(低电平)--- >防护期(100美制)--- >3.3V vddshv 可以斜降
    2) 2)对我来说、这也很难理解。 我将让区经理团队进行澄清
    3) POR =置位(低电平)--- >时钟可以停止(不需要特定的延迟)------ >VDDA_osc 开始下降
    实际上、该要求应意味着缩短时间、即注7行应以较早的垂直线结束、这实际上代表了斜降启动的 VDDA_osc 点。
    我认为这是因为振荡器未通电、因此不应向其输入任何信号(在我们的案例中为时钟)。

    此致、
    STAN
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    您好、Stan、

    1)剂量防护周期(100us)的平均最长时间? 还是最小值?
    2) 2)我正在等待您解释这句话的含义。
    3) 3)我明白了。

    此致、
    肯什
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    您好、Stan、

    我还有一些关于断电的问题。

    4) 4)没有名为"vddshv_*"的电源。 这些信号名称是否为“vddshv*”,不需要在 bar 下?
    5) 5)关于注释5、
    "如果 vdds18v_DDR 和 vdds_ddr*与板载 vdds18v_*保持独立,则该组合 DDR 电源可能会关闭
    或在 vdds18v_*电源之前。"
    这意味着什么剂量?

    此致、
    肯什
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    您好 Kenshow、

    1) 1)这是您在开始斜坡-黎明前必须确保的最短时间。

    2) 2)如果所有 vddshv*电源为1.8V,则这些电源轨可以与 vdds18v_*同时下降。 这意味着允许它们在 VDD_dspeve 和 VDD 之后斜降。
    上一句说明、在使用3.3V 电源开始斜降过程之前、您必须等待保护时间
    在这种特定情况下、没有3.3V 电源可以开始斜降、因此您必须从内核(VDD_dspeve 和 VDD)开始。 但是、您仍然必须提供保护周期、但没有3.3V 电源。 因此、在开始降低内核数之前、您仍然必须等待至少100μs μ s。

    4)是的、这是一个拼写错误。

    5) 5)注释5中的第一个项目符号解释了使用 DDR2存储器时的选项、这些电源组合在一起并由相同的电源供电(因为 DDR2电压为1.8V)。
    第二块状块解释说,也可以不从单个来源获取这些数据。 如果您将 DDR (VDDS_DDR1、VDDS_DDR2、VDDS_DDR3)和 vds18v_*(vdds18v_DDR1、vdds18v_DDR2、vdds18v_DDR3)的源分开,则必须确保 DDR 电源在 vdds18v_*之后不会下降。

    一般而言、我建议您为此 SoC 使用专用 PMIC。 它们支持电源定序要求和其他出色功能。

    谢谢、
    直径
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    尊敬的 Dian:

    感谢您提供详细信息。

    1) 1)我附上了数字、以避免我的误解。 您能否检查它是否正常?
    与第5项相同,500us 是最短时间,不是这样?

    我认为使用 PMIC 是最佳方法。 但是、我需要确切地了解作为汽车应用电源设计器的 TDA3规格。

    此致、
    肯什

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    您好 Kenshow、

    不确定您的问题是什么、但上图看起来有效... 请注意- VDDS_DDR*必须在 vdds18v 之前斜降。
    我看不到 vdds18v 的时序,但假设它在 VDDS_DDR*之后开始斜降。
    一般而言,VDDS_DDR*和 VDDA_*域之间没有相关性。

    谢谢、
    直径
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    Dain、

    我只想再次确认关于最低时间约为100us 和500us 的定义。

    谢谢、
    肯什
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    尊敬的 Dian:

    我的问题不是关于图5-2的3和5。 DM 中的断电排序。

    注3被写入"在 PORz 低电平有效后、它们可以在不超过100μs μ s 的时间内开始斜降"。

    注5被写入"VDDS_DDR*在 VDD 后不能早于500μs μ s 开始斜降"。

    因此,我想再次确认确定时间的概念,即100us500us

    我的数字是否正常?

    此致、
    肯什

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    请在下面找到有关 TDA3x 断电序列图注3和5的进一步说明。

    注3:

    在任何 TDA3电压降至最低功能电平以下之前、PORz 必须在100us 的最短运行时间内置为低电平、以确保所有 SoC 电路均已设置为已知安全状态。 如果任何 vddshv*使用3.3V 电压,则在 PORz 被置为低电平后,该电源必须在100us 内保持大于2.7V 的电压。 如果所有 vddshv*都设置为1.8V 并使用与 VDDS1V8相同的电源,则它们可以与 VDDS1V8同时下降。  在这种情况下、第一个斜降电源将是 VDD 和 VDD_dspeve。  在 PORz 被置为低电平后、这些电源的以太网信号应在不超过100us 的时间内开始斜降、以确保在 SoC 电压开始断电之前 TDA3已被设定为一个安全状态

    注5:

    禁用 VDDS_DDR 之前的500us 延迟旨在允许 VDD 以足够的时间开始放电、以便 VDDS_DDR 电源的斜降速度不会超过 VDD。

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    您好 Bill、

    非常感谢。

    此致、
    肯什