[参考译文] 66AK2G02：高速旁路电容问题

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https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/609462/66ak2g02-high-speed-bypass-capacitance-question

器件型号：66AK2G02

大家好、

K2G 数据表(sprs932e 表示66ak2g02)中的表7-8指示 DDR3L 器件 HS 旁路电容器总电容的最小值为0.85uF。但 K2G EVM 仅具有13个0.01uF HS 旁路电容器。 (K2G EVM 确实有一个22uF 大容量电容器、以满足表7-7中列出的大容量电容器的要求)。

我有以下问题：

问题1：为什么 K2G EVM 不会使配电网络分析失败？请参阅 sprac38“66AK2G0x 通用 EVM 配电网络分析”中的“4结论”。

Q2：我知道电容要求因设计而异。我应该从 EVM 上的相同旁路电容开始吗？还是更改它以满足数据表中列出的要求？

谢谢、

Brian

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2555230 points

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您好 Brian、

[引述]Q1：为什么 K2G EVM 不会使配电网络分析失败？请参阅 sprac38“66AK2G0x 通用 EVM 配电网络分析”中的“4结论”。[/quot]
我没有参与电路板的设计、所以我不能回答这个问题。

[引用] Q2：我知道电容要求因设计而异。我应该从 EVM 上的相同旁路电容开始吗？或者更改它以满足数据表中列出的要求？
我们建议始终遵循数据手册中的建议(请参阅66Ak2G02原理图检查清单中的2.1 EVM 与数据表- www.ti.com/.../sprac54.pdf)。在使用66AK2G02器件设计电路板时、本文档是最新参考。因此、我建议满足数据表中列出的要求、然后开始 PDN 分析。

此致、
Yordan

0 admin 8 年多前

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谢谢 Yordan、我在离线时与 Bill 谈论了这一点、他将在这里添加一些评论。

谢谢、

Brian

0 admin 8 年多前

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您好 Brian、

正如您指出的、在 EVM 原理图中、靠近 DDR 存储器的所有电容器都是0.01uF、这不提供表中所示的电容。分析过程中所示为0.85uF、原理图中13个电容器中的8个应更改为0.1uF 值。遗憾的是、在我们将 EVM 投入生产之前、这一点并未被发现。

EVM 是在 SoC 生命周期早期开发的、并不总是遵循所有要求。这通常是因为设计电路板时不存在要求。当 EVM 和数据手册之间存在差异时、应始终遵循数据手册中所示的建议。它将具有最新信息。

此致、

Bill

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