主题中讨论的其他器件： AM5728
您好！
在基于 AM5708的设计的电路板启动阶段、我们首先启动启动加载程序(让 ti-u-boot 代码运行、并在 BBX15 (AM5728)上启动)。
我们创建了自己的电路板文件和多路复用器、将 EMIF 数据和所有电路板细节添加到代码中、并为我们自己的设计(具有联盟 DDR3存储器)构建了该文件。
我们使用2个多路复用的2GigaBit (265MB)存储器(一个芯片 Get 的数据线路0-15、另一个具有数据线路16-31、它们都共享地址线路。
SPL (MLO 或第二级引导加载程序)启动并达到控制台访问(成功初始化 SDRAM -> DDR3)、然后尝试引导 u-boot。 我们注意到 DDR3存储器中存在一些不一致之处。
在调查和创建(简化的) DDR3 RAM 测试后、我们注意到 DDR3存储器不"负责"。 在一个电路板上、我们似乎只能使用每个32位值的高16位(其中16 LSB 大部分是相同的(0xC8FE)、它们有时会用几位更改其值。 (在内存地址上写入模式会导致此类表：
第一板：
写入0xEFFFFFFF -读取0xEFFFC8FE
写入0xFFFEFFFF -读取0xFFFEC8FE
写入0x000000001 -读取0x0000C8FE
第二板：
写入0xEFFFFFFF -读取0xEFFFFFFF (正确)
写入0xFFFEFFFF -读取0xFFFEFFFE (1位关闭)
写入0x000000001 -读取0x000000000 (1位关闭)
这似乎是第二块电路板的运行方式"更好"、但我们无法找到我们的手指来解释其原因。
我们迄今采取的行动：
-验证从 TI 输入(Excel 工作表/工具)到时序的时序(EMIF 寄存器)->确定
-使用示波器验证时钟->确定
-降低速度(将定时设置为低至400MHz)并使用示波器进行验证->确定。
-监控电压(来自我们可以保证的电压)->好的。
- XRay 出厂验证 DDR3 RAM 上的焊料->确定(未发现异常)。
-更新： 使用 JTAG 和 GEL 文件验证我们是否可以使用调试器访问 RAM (Successfull：这表明电路板1有一个油炸 RAM、因此可忽略、使用 JTAG 可调试第二个电路板、并在整个 RAM 上使用(简单) memtest 例程测试 DDR3 RAM。 (将整个 RAM 写入模式、将其读回)。
接下来、我们尝试在两个 SPL 中打印所有 EMIF 寄存器的设置、并将它们与工作中的 JTAG 示例中的设置进行比较。 请参阅随附的 diff 文件。
问题：
我们还可以通过哪些途径来调查这些问题？
我们错过了哪些步骤？
－您知道的问题？
－打开门进行检查？
