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器件型号：TMS320VC5509A 你(们)好 我的主板 HX-5509a 有问题。 当我在0x10000范围内写入 SDRAM 时、SDRAM 中的数据是正确的。 但是 、当我增大缓冲区的大小 时、数据不正确并停留在循环中。
有什么建议吗？ 以下是代码(程序在 第一段时间卡在中)：
#include #include #include #include uint16 x； uint32 y； CSLbool b； long int datacount = 0； int databuffer[1000]=｛0｝； int * sourceaddr、* deminaddr； pll_Config MyConfig =｛ 0、//IAI：PLL 使用进入 空闲模式之前正在进行的相同过程进行锁定 、1/IOB： 如果 PLL 指示锁相中断、 //它切换到其旁路模式并重新启动 PLL 锁相 //序列 24、// PLL 乘法值；乘以24乘 以1//除以2 PLL 除法值； 它可以是 PLL 分频值 //(当 PLL 被启用时)，也可以是旁路模式分频值 //(如果 PLL 乘法值被设置为1) ｝； EMIF_Config emiffig =｛ 0x221、//EGCR： MEMFREQ = 00、存储器的时钟频率等于 CPU 频率 // WPE = 0、对于写入布置、当我们调试 EMIF // MEMCEN = 1时、存储器时钟反映在 CLKMEM 引脚 上// NOHOLD = 1、HOLD 请求不被识别 EMIF 0xFFFF、//EMI_RST：对该寄存器的任何写入都将复位 EMIF 状态机 0x3FFF、//ce0_1：ce0空间控制寄存器1 // MTYPE = 011、同步 DRAM (SDRAM)、16位数据总线宽度 0xFFFF、//ce0_2：ce0空间控制寄存器2 0x00FF、/ce3 = 0xFFF/ ce3；ce0：/ce3：0xFFF0 CE0空间控制寄存器1 0xFFFF、//CE1_2：CE0空间控制寄存器2 0x00FF、//CE1_3：CE0空间控制寄存器3 0x3FFF、//CE2_1：CE0空间控制寄存器1 0xFFFF、//CE2_2：CE0空间控制寄存器2 0x00FF、//CE2_3 ：CE0空间控制寄存器1 0xFFFF、CE3：CE0 CE0空间控制寄存器2 0x00FF、//CE3_3：CE0空间控制寄存器3 0x2911、//SDc1：SDRAM 控制寄存器1 // TRC = 8 // SDSIZE = 0；SDWID = 0 // RFEN = 1 // tRCD = 2 // TRP = 2 0x0410，//SDPER： SDRAM 周期寄存 器// 7ns * 4096 0x07FF、//SDINIT：SDRAM 初始化寄存器 //对该寄存器进行任何写操作以初始化所有 CE 空间， //在硬件复位或 C55x 器 件上电后执行此操作0x0131 // SDC2：SDRAM 控制寄存器2 // SDACC = 0； // TMRD = 01； // tras = 0101； // TAC5V2ACTV = 0001； ｝； main () ｛ CSL_init ()； chip_RSET (XBSR、0x0a01)； PLL_CONFIG (&MyConfig)； EMIF_CONFIG (&emiffount)； int i = 0； sourceaddr =(int *) 0x0250000； deminaddr =(int *) 0x0260000； long int s = 100000； for (i=0；i<1000；i++) databuffer[i]=0； while (datacig
