请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TDA3XEVM 您好！
我在写入 QSPI 后出现 CRC 问题。 我将按如下方式测试 CRC：
我将数据写入地址0xA80000上的 QSPI。 我使用该地址上的函数 SBLUtilsComputeCRC 计算 CRC、并且 CRC 值正确。 然后、我从 QSPI 地址0xA80000读取数据、更改 DDR 中的字节序、并将其写回地址0x1080000的存储器。 当我计算地址0x1080000上的 CRC 时、我得到不同的值。 我使用内存浏览器进行检查、地址0x1080000上的数据与地址0xA80000上的数据相同。 为了再次进行检查、我删除了对 QSPI 的写入、并刚刚计算了地址0x1080000上的 CRC (我假设该位置上的存储器需要更改、我刚刚在 QSPI 中烧写了新的 SBL)。 在这种情况下、CRC 是正确的。 我尝试使用函数 UNCACHEWriteBackAndInvalidateAll (SOC_IPU1_UNCHE_MMU_CONF_regs_base、UNCHE_WAIT_INLINAL)使缓存无效；但它不会带来任何差异。 我尝试启用和禁用高速缓存、但它不影响计算。
我是否需要为此使用 EDMA？ 如果是、如何操作？
我正在使用 VSDK 2.12.1。
您能在这里看到问题吗？
此致、
Sasa Mihajlica
