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[参考译文] AM3352：NOR 闪存引导时序

admin
Guru**** 2943350 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/671653/am3352-nor-flash-boot-timing

器件型号：AM3352

大家好、

我们的启动器件是 16位 NOR 闪存、 闪存 VCC 设置时间(TVS)首次访问必须与引导 ROM 读取时序相匹配。  

现在我选择  一个 TVC 为100us 的闪存、启动成功、但    如果 TVS 为500us 的闪存、则启动失败。

您能不能让我   限制 bootrom 时间参数第一次访问 闪存？

此致、

鲁生

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    TI__Guru**** 2943350 points
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    您好！

    您使用什么是 SYSBOOT 设置？
    您的也没有 R/B 信号吗？ 它是如何连接的？
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    TI__Guru**** 2943350 points
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    BOOT[4：0]为11011；闪存具有复位和字节引脚；
    BORAD 是一款成功的产品、现在一些品牌闪存未在销售、因此我们必须更改另一种类型或闪存。
    可能我认为是计时问题。 Bootrom 速度太快、以至于一些闪存无法访问。
    谢谢
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    TI__Guru**** 2943350 points
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    我知道。 我将要求工厂团队发表意见。 他们将在这里作出回应。
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    TI__Guru**** 2943350 points
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    我们没有确切的引导时间时序、因为它将取决于您的引导顺序。 由于引导顺序中没有 NOR、因此很有可能 ROM 在500us 内开始访问 NOR、这就是导致失败的原因。 如果正确连接了 R/B 信号、我认为这应该会阻止任何访问、直到 NOR 就绪。 您能否再次检查此信号是否正常工作？
    此外、处理器复位和闪存复位之间的时序关系是什么？ 您也可以通过延迟处理器复位来解决问题。

    此致、
    James
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    TI__Guru**** 2943350 points
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    您好、Bister 和 James、

    我已经解决了这个问题、不是 ROM 时序问题、而是 NOR 闪存配置的时序问题。

    新闪存的页长度为8、旧闪存的页长度为16、因此我更改了新闪存的 GPMC 配置：

    GPMC_CONFIG1_0.bit23-24 = 0x1。

    非常感谢。

    此致、

    鲁生