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TDA4的驱动强度控制是什么？
数据表中引脚属性表的缓冲器类型列可用于确定器件上哪些引脚使用 LVCMOS 缓冲器
控制模块(CTRL_MMR)中的*_PADCONFIGn 寄存器用于对 LVCMOS 缓冲器的驱动强度进行编程
请参阅 数据表中引脚多路复用表的寄存器名称列、以确定 与 LVCMOS 引脚/焊球关联的*_PADCONFIGn
_PADCONFIGn 寄存器的 DRV_STR 字段(20-19位)是编程驱动强度的2位字段：
驱动强度控制
选择 LVCMOS 引脚的驱动强度值。 (不适用于其他引脚类型)。 建议使用标称驱动强度、该值用于数据手册交流时序。 快速或慢速模式可在必要时使用、并且应使用 IBIS 仿真进行验证、以确定数据手册中的适当时序降额。
0h -标称值(推荐)
1h -快速
2h -慢
3h-保留
数据表 IO 时序基于*_PADCONFIGn 寄存器中的 NOM 设置。 通常建议使用标称值设置。
源同步接口可使用快速/慢速接口、对 IO 时序的影响可忽略不计。
对于混合输入和输出的接口、如果使用了快速/慢速设置、用户可以执行 IBIS 仿真以量化对其系统中 IO 时序的影响。 这是因为 NOM 和快速/慢速配置之间输出信号的50%交叉点发生了变化。
提供用于 LVCMOS 缓冲器的 IBIS 模型、用于1.8V (1p8)和3.3V (3p3)运行以及三种驱动强度选项(标称值、慢速值、快速值)。 LVCMOS 缓冲器(L、H)的两个物理布局也有单独的模型。 此 IBIS 模型包含每个 LVCMOS 引脚到 LVCMOS_H 或 LVCMOS_L 版本缓冲器的映射。
任何在型号名称中包含术语"UT"的 LVCMOS 型号都将保留、不应使用。
下面以带有 LVCMOS 模型选择器的 IBIS 模型摘录为例。
|******** LVCMOS [型号选择器] LVCMOS_H lvcmos1_nom_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_H@ nom_1p8_comment lvcmos1_nom_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_H@ nom_3p3_comment lvcmos1_SLOW_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_H@ slow_1p8_comment lvcmos1_SLOW_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_H@ slow_3p3_comment lvcmos1_fast_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_H@ Fast_1p8_comment lvcmos1_fast_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_H@ Fast_3p3_comment | | [型号选择器] LVCMOS_V lvcmos0_nom_1p8_v PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_V@ nom_1p8_comment lvcmos0_nom_3p3_v PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_V@ nom_3p3_comment lvcmos0_SLOW_1p8_v PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_V@ slow_1p8_comment lvcmos0_SLOW_3p3_v PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_V@ slow_3p3_comment lvcmos0_fast_1p8_v PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_V@ Fast 1p8_comment lvcmos0_fast_3p3_v PRWDWUWSWEWCDGLVCMOS_V@快速_3p3_comment
数据表中引脚属性表的缓冲器类型列可用于确定器件上哪些引脚使用 SDIO 缓冲器。
控制模块(CTRL_MMR)中的* SDIOn_CTRL 寄存器用于对 SDIO 缓冲器的驱动强度进行编程。
具体而言，*_SDIO1_CTRL 寄存器控制 mmc1_*引脚的驱动强度， *_SDIO2_CTRL 控制 mmc2_*引脚等
_SDIOn_CTRL 寄存器的 DRV_STR 字段(位4-0)是5位字段、其中对 SDIO 驱动强度进行了编程：
驱动强度控制。
选择 SDIO 引脚的驱动强度值。 对于除重置/默认40欧姆之外的其他选项、应通过下面列出的值修改重置/默认寄存器的值。
复位/默认 40欧姆
复位/默认+ 5b 33欧姆
复位/默认- 5b 50欧姆
复位/默认- 10b 66欧姆
数据表 IO 时序基于 * SDIOn_CTRL 寄存器中的默认40欧姆设置。 通常建议使用40欧姆设置。
如果使用了其他驱动强度设置、用户可以执行 IBIS 仿真、以量化对其系统中 IO 时序的影响。 这是由于输出信号在40欧姆和非40欧姆配置之间的50%交叉点发生了变化。
提供了用于 SDIO 缓冲器的 IBIS 模型、用于1.8V (1p8)和3.3V (3p3)运行以及四个驱动强度选项(R33=33 Ω、R40=40 Ω、R50=50 Ω、R66=66 Ω)。
任何在模型名称中包含术语"UT"的 SDIO 模型都将保留、不应使用。
下面以带有 SDIO 模型选择器的 IBIS 模型摘录为例。
|****** SDIO [型号选择器] SDIO_H sdio1_r33_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R33_1p8_comment sdio1_r33_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R33_3p3_comment sdio1_r40_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R40_1p8_comment sdio1_r40_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@_R40_3p3_comment sdio1_R50_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R50_1p8_comment sdio1_R50_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R50_3p3_comment sdio1_R66_1p8_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R66_1p8_comment sdio1_R66_3p3_h PRWDWUWSWEWCDGSDIO_H@ R66_3p3_comment
数据表中引脚属性表的缓冲器类型列可用于识别器件上哪些引脚使用 eMMCPHY 缓冲器。
MMCSD 模块中的 MMCSDn_SS_PHY_CTRL_1_REG 寄存 器用于对 eMMCPHY 缓冲器的驱动强度进行编程。
具体而言， MMCSD0_SS_PHY_CTRL_1_REG 寄存器控制 mmc0_*引脚的驱动强度。
MMCSDn_SS_PHY_CTRL_1_REG 寄存器的 DR_TY 字段(位22-20)是 3位字段、用于对 eMMCPHY 驱动强度进行编程：
驱动拉电流/灌电流阻抗编程
0h：50欧姆
1h：33欧姆
2h：66欧姆
3h：100欧姆
4小时：40欧姆
数据表 IO 时序基于 MMCSDn_SS_PHY_CTRL_1_REG 寄存器中的默认50欧姆设置。 通常建议使用50欧姆设置。
如果使用了其他驱动强度设置、用户可以执行 IBIS 仿真、以量化对其系统中 IO 时序的影响。 这是由于输出信号在50欧姆和非50欧姆配置之间的50%交叉点发生了变化。
为五个驱动强度选项(33 Ω、40 Ω、50 Ω、66 Ω、100 Ω)提供了用于 SDIO 缓冲器的 IBIS 模型。
下面以具有 EMMC 模型选择器的 IBIS 模型摘录为例。
首页|首页|首页|首页|首页|首页| English | EMMC 首页|首页|首页|首页|首页|首页| English [型号选择器] EMMC emmc51_io_tx33 Ω 33 Ω 驱动器 emmc51_io_tx40 Ω 驱动器 emmc51_io_tx50 Ω 驱动器 emmc51_io_tx66ohm 66ohm 驱动器 emmc51_io_tx100 Ω 驱动器
有关 DDR IO 的驱动强度控制的详细信息、请参阅 Jacinto 7 DDRSS 寄存器配置工具(www.ti.com/.../spracu8)的第2.3节。
