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尊敬的 TI 团队:
我们需要尽可能细化地监控 DDR 刷新的发生情况、以便在操作软件执行过程中评估最坏的情况。
理想情况是对一组小(可配置)的行块计数刷新命令、并具有这些块的(总)刷新持续时间。
如 TRM SPRUIL1C 中所述、可以配置 DDRSS 性能计数器寄存器、以提供不同类型的刷新相关统计信息。
问:似乎计数的粒度不能小于 DDR 存储体。 是这样吗?
问:很遗憾、TRM 第8.2.4.6.x 章和 DDRSS 寄存器文档中的说明不足以让我确定哪些 正确的 性能计数器可以满足我们的需求:
=>"自刷新":计数器和持续时间(周期)是可用的。 但是、自更新是否仅与低功耗模式相关? 在这种情况下、不适用于操作软件?
=>"Auto Refresh":似乎是我需要的计数器、但根据我的理解、它不在库级别、并且没有可用的刷新持续时间。 对吧?
=>在银行一级(0x8)有一个计数器、但具体计算的是什么:
-所有刷新(自动+自我)?
-从哪家银行? (在何处配置存储体编号)?
提前表示感谢
Laurent
您好!
Q:看来,计数的精细度不能小于 DDR 存储库。 是否正确?
可以、我的理解是、性能计数器可以计数"刷新所有组"命令或"刷新每组"命令。
问:很遗憾,TRM 第8.2.4.6.x 章和 DDRSS 寄存器文档中的说明不足以让我确定哪些 性能计数器可以满足我们的需要:
是的、我的理解是
每组刷新命令将应用于来自控制器的命令、因此与自刷新命令无关。 我必须确认、但我认为它不能通过银行编号进行跟踪。 但是、根据 JEDEC 标准、向同一存储体发送一个每存储体刷新命令是非法的、除非已使用每存储体刷新命令刷新了所有八个存储体。 此外、我认为我们不会在 DRA829上使用"refresh per bank (每组刷新)"命令(也需要确认此情况)、因此这很可能始终显示为0。
此致、
Kevin 老师
感谢 Kevin:
如果我理解正确、"每组计数"是否只能与 "刷新每组"命令结合使用、而不能在"自动刷新"模式下使用?
另一个问题:每次特定计数器发生更改时、是否可以从 DDR 控制器向主器件生成事件?
此致
Laurent
尊敬的 Laurent:
每组刷新逻辑是自动刷新逻辑的子系统。 但是 、我同意您的理解 、即只有在发出每存储体刷新命令时、才会应用每存储体计数。
但请注意、我们不要启用每组刷新逻辑、因此 在刷新命令期间、CA5应该始终是一个逻辑"1"、位于第一个上升时钟边沿上(以刷新所有存储体)。 当刷新命令从控制器发送到 LP4存储器时、第一个上升时钟边沿上的 CA5状态指示是应刷新所有存储体还是仅刷新一个存储体。
我不知道有任何与性能计数器相关的中断。
此致、
Kevin 老师
非常感谢 Kevin、我现在已经很了解了。