[参考译文] TDA4VE-Q1：启动 tda4ve 电路板时、DDR 仅在 DDR 速率为1200的情况下工作、我们如何更改 DDR 参数以提高 DDR 速率

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1250640/tda4ve-q1-when-boot-the-tda4ve-board-the-ddr-only-work-in-ddr-rate-1200-how-can-we-change-the-ddr-parameters-to-increase-the-ddr-rate

尊敬的 TI 专家：

   启动 tda4ve 电路板时出现问题、DDR 初始化失败！

  我们使用了 Samsung DDR K4FBE3D4HB-KHCL、我们使用 SPRACU8B_Jacinto7_DDRSS_RegConfigTool.xlsb 工具来更改参数、如果我们将 DDR 速率设置为3733、则 DDR 初始化失败、  

uboot 日志如下所示：

U-Boot SPL 2021.01-Dirty (7月20日2023 - 16：08：43 +0800)
TI_sci system-controller@44083000：消息未确认 edti_sci system-controller@44083000：消息否)
EEPROM 在0x50处不可用、尝试在0x51处读取
在0x51处读取板载 EEPROM 失败1
k3_ddrss_probe (dev=41c6771c)名称 memorycontroller@2990000
--> K3_LPDDR4_READ_DDR_TYPE: 203 ... 0x000b<<---
--> k3_ddrss_init_freq: 283 ... DDR_freq0:27500000<<---
---->>> K3_LPDDR4_START: 551 ... <<---
--> LPDDR4初始化正在进行中... <<---
--> K3_LPDDR4_READ_DDR_TYPE: 203 ... 0x000b<<---
--> k3_LPDDR4_freq_update：245 ...<<-
!-->>> LPDDR4_startsequenccontroller: 114 ...<<---

当我们将数据速率配置为1200时， 板引导成功

但我们需要手动更改文件中的以下寄存器(k3-j721s2-ddr-evm-lp4-1200.dtsi)  

DDRSS0_PHY_1303_DATA 0x00000064 -> 0x0000FFFF  

DDRSS1_PHY_1303_DATA 0x00000064 -> 0x0000FFFF

我们还使用 tda4vm_lp4_debug.out 来测试 DDR，我们在下面附加了日志文件(CCS-DDR-3733-072001.txt)

您能帮助我们了解如何提高 DDR 速率、

 SDK： ti-processor-sdk-linux-j721s2-evm-08_06_01_02

SPRACU8B_Jacinto7_DDRSS_RegConfigTool 参数：

e2e.ti.com/.../ccs_2D00_ddr_2D00_3733_2D00_072001.txt