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[参考译文] TDA4VE-Q1:LPDDR4阻抗匹配

Guru**** 2534650 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1357172/tda4ve-q1-lpddr4-impedance-matching

器件型号:TDA4VE-Q1

可以在下面设置 DDR 的目标阻抗吗?

我已在 括号中检查了目标阻抗、但不可能、因为行 witdh

    CA、CKE: 25/50 Ω (30 / 60 Ω)

    CSn: 40 Ω (30欧姆)

    CKP / N: 60/120 Ω

 

    DQ,DM: 40 Ω

    DQSP/N: 80 Ω

 

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    对于数据字节、阻抗匹配 TI Designs。  对于 CA、我们的目标通常为大约33欧姆。  T 分支无法达到66欧姆的2倍、但可以达到50-55欧姆-应足够接近。  25欧姆非常低-我建议采用大约30-35欧姆的电阻。

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    了解更多>> 差分120欧姆有点难。

    那么、如果我们将 CA、CKE 33欧姆/ 50 ~ 55欧姆、CSN 设置为40欧姆、是否可以将 CKP / N 50 / 100欧姆设置为40欧姆?

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    按照我们的 EVM、CKP / N 应布置在靠近66欧姆差分电阻的位置。  T 分支段应非常短、因此不要为了满足非常短的段的阻抗而改变基极/干线布线的阻抗。  对于 T 分支-只需在 PCB 技术允许的情况下尽可能接近2倍的阻抗。