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您好!
您能否解释一下 FORCE_N_ROW 和 FORCE_N_BIT 的方法和应用、这是否意味着多位错误注入? 如何验证?
我使用了 ECC_APP 并将错误类型更改为 SDL_Inject_ECC_error_forcing_1bit_repeat 或 SDL_Inject_ECC_error_forcing_2BIT_repeat、测试失败。 是否还有关于重复注入的其他演示?
谢谢
您好!
如果处于写通模式、设置为1时 FORCE_N_ROW 将强制在下一次 RAM 读取和/或写入时出现错误。 如果设置为0、则 ECC_CBASS_ERR_CTRL1寄存器可用于指定注入错误的位置。
TRM 的以下文本中介绍了 FORCE_N_BIT 的用法:
SDL (软件诊断库)提供了这些字段的使用示例。
您能否提供有关正在尝试的部件和所看到的故障的进一步详细信息。 是否打算创建重复强制错误的测试?
谢谢。
kb
您好!
感谢您的答复。 我的目的 是创建一个重复强制错误测试。 我没有找到与此相关的演示。 我 在 SDL/exmaple/ECC 中使用了 ECC_APP、并将错误类型更改为 SDL_Inject_ECC_error_forcing_2BIT_REPEAT、RAM ID=107、但无法获得 ESM 中断。 那么、我的问题是如何注入重复错误并验证重复注入是否成功? 关于重复注入模式、每次是否更改注入位置?
谢谢。
您好!
此问题是否仍然存在?
如果是、请您提供哪个 ECC 聚合器正在接受 RAM ID 107的测试。
谢谢。
kb