[参考译文] TDA4VM：vision_apps 和 SDL

您好！

您能否提供有关哪些主域实例发生故障的详细信息？

以下是有关何时必须在 ECC 聚合器上执行错误注入的一般建议

• 应尽可能在"‘s"时运行 ECC 错误注入和错误响应监控。
• ‘s一种推荐的方法是在"关断"时运行 ECC 错误注入。

当在"‘时间"内运行 ECC 错误注入时、系统集成商必须注意以下几点：

对于互连端点：

• ECC SEC‘注入在空闲周期内运行、因此可以在所有类型的校验器的"运行时"期间运行。
  • 奇偶校验和冗余位错误注入是无损的、可以在运行时完成。
• ECC DED‘注入在空闲周期中运行、因此可以在"运行时"期间运行。
  • 只对奇偶校验器/冗余校验器类型执行 single-bit 错误注入。 这是因为它们可以保护奇数次注射。 奇偶校验上的2位注入不会导致故障。

对于 RAM 存储器：

• RAM 存储器上 SEC 的 ECC 自检、可在运行时运行：
• SEC 的 ECC 自检注入一个可以内联纠正的 single-bit 错误。
• RAM 存储器的‘runtime"期间的 ECC DED 错误注入应仅针对具有直接读取访问的存储器进行
  • 直接读取访问存储器的两个示例是 MSMC SRAM 和 MCU SRAM
  • ‘在"运行时"期间运行、所有其他嵌入式 SRAM 上的双位错误注入可能会导致下游 IP 读取不良数据
• 仅‘‘s存储器上的 ECC 错误注入应在"启动"时运行、不建议在"运行时"期间运行。

此致、

Josiitaa.

您好、

感谢您的答复。  在注入错误之前、我运行 SDL_ECC_init 以初始化 ECC 存储器。 当 在主域上运行 MCANSS 和 MSRAM、那里‘s 错误. MCU memtype 初始化成功。 主 doamin 上的 memtype 可以  由 SDL_ECC_init 初始化吗？

测试日志：

ECC_Memory_init：[10] SDL_ECC_MEMTYPE_MCU_MSRAM0 ECC 初始化完成

ECC_Memory_init：[11] SDL_ECC_MEMTYPE_MCU_NAVSS0 ECC 初始化完成

ECC_Memory_init：[12] SDL_ECC_MEMTYPE_MCU_PSRAM0 ECC 初始化完成

ECC_Memory_init：[13] SDL_ECC_MEMTYPE_MCU_CBASS_ECC_AGgr0 ECC 初始化完成

ECC_Memory_init：[14]初始化 SDL_MCAN0_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[15]初始化 SDL_MCAN1_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[16]初始化 SDL_MCAN2_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[17]初始化 SDL_MCAN3_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[18]初始化 SDL_MCAN4_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[19]初始化 SDL_MCAN5_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[20]初始化 SDL_MCAN6_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[21]初始化 SDL_MCAN7_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[22]初始化 SDL_MCAN8_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[23]初始化 SDL_MCAN9_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[24]初始化 SDL_MCAN10_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[25]初始化 SDL_MCAN11_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[26]初始化 SDL_MCAN12_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[27]初始化 SDL_MCAN13_MCANSS_MSGMEM_WRAP_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

ECC_Memory_init：[28]初始化 SDL_MSRAM_512K0_MSRAM16KX256E_ECC_AGGR 时出错：结果=-2

您好！

 在主域上运行 MCANSS 和 MSRAM 时‘s 出现、错误。

您的意思是您在主域上运行 SDL 测试吗？

此致、

Josiitaa.

您好、

我没有说清楚。 SDL 测试在 MCU 域上运行。 我是指主域上的 ECC 内存、如  MCANSS 和 MSRAM 。   

此致、

您好！  

我懂了。 感谢您的澄清。 您能否提供有关引导流程的更多详细信息？ 您是否正在运行独立的 SDL 测试应用程序？  

此致、

Josiitaa.

您好、

这样实现的引导流程。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1214665/faq-tda4vl-q1-run-vision_apps-in-sbl-boot-flow-with-combined_appimage

 SDL 测试应用程序在 mcu1_0上运行、但不是单独运行。 EVM 板通电后、RTOS 启动、Linux 启动。 然后运行 SDL 测试用例。  

此致、