[参考译文] TDA4VL-Q1：TDA4外部闪存 CAN##39；t work

您是否已验证处理器是否退出复位模式并进入引导模式？  RESETSTATz 信号是否变为高电平？

驱动 SOC_FLASH_OSPI_RESET 信号的是什么？  它在内存处拉高、但在处理器处看起来断开连接。  这是否意味着闪存保持在复位状态？

您已经为引导器件选择了串行 NAND。  您应该选择 xSPI 还是 OSPI 作为引导存储器？  我不认为您正在使用 OctalNAND -您在吗？

您好、Robert：

1：我不知道如何验证处理器退出复位和进入引导模式、您能告诉我如何验证吗？  您能否告诉我哪个引脚应处于哪个状态(高电平或低电平)？ 我想我们在刷写 bin 文件时没有做任何更改。 因此、我们可能应在刷写 bin 文件之前设置引导模式。

2："RESETSTATz"是哪个引脚？  刷写 BIN 文件时它应该是高电平还是低电平？

3：连接"OSPI 复位"、上拉。

4："您应该选择 xSPI 还是 OSPI 作为引导存储器" 、这意味着我们应该在软件工具上进行一些设置？

当处理器复位时、RESETSTATz 为低电平、当处理器完成其复位序列时、它将变为高电平。  因此、要验证处理器是否退出复位状态、请探测 RESETSTATz 信号并验证它是否变为高电平。

驱动 SOC_FLASH_OSPI_RESET 信号的是什么？  它在内存处拉高、但在处理器处看起来断开连接。  这是否意味着闪存保持在复位状态(0 =复位、1 =不复位)？  如果存储器保持复位状态、它将不会对命令做出响应。

罗伯特：

我测试了 SOC 4复位引脚 G23/K23/A26/A24、它们都是高电平。 SOC 未处于复位模式。 原因 SOC 无法工作原因不是 RESET 引脚为低电平。

刷写 bin 文件时是否需要重置4个引脚？  因为 我只是将 G23引脚重置为低电平、在刷写 bin 文件时 K23/A26/A24为高电平。

您列出的引脚(G23/K23/A26/A24)都是复位输入。  RESETSTATz (引脚 AF27)是一个复位输出引脚、只有在内部复位机制完成后才会变为高电平。  所有 RESET 输入都可能为高电平、但由于其他问题、RESET 输出引脚可能仍为低电平。  这就是为什么我要探测 RESETSTATz。

您是如何尝试将文件刷写到闪存中的？  您是否正在使用处理器写入闪存或连接外部闪存写入器、并且需要使用处理器不进行干扰？

您好、Robert：

AF27为高电平、因此 SOC 未处于复位模式。

我使用 Dedi 编程器来闪存外部闪存芯片、但是没有为 SOC 打开电源、只使用编程器电源到闪存芯片。 我刷写外部芯片时、外部闪存芯片复位引脚(SOC_FLASH_OSPI_RESET)仍然为低电平。 我不使用编程器工具连接复位引脚、是否需要将此引脚与编程器复位 IO 连接？

如果我成功刷写到外部闪存芯片中、是否应该更改 SOC 引导模式？ 设置从外部闪存芯片开始？ 我不知道 SOC 引脚应该处于什么状态？ 可以在我的图片中看到、引导模式引脚处于该状态。  

在未对处理器 IO 供电的情况下、向连接到处理器的引脚施加电压、因此这可能构成违规。 不建议这样做、因为这可能会产生流经处理器的意外电流路径并使其损坏。  优选方法是为系统(包括处理器)供电、但在与闪存器件进行通信/编程时使处理器保持在复位状态。