[参考译文] TDA4AP-Q1：如何启用 MCU4-0高速缓存 ECC

您好、Kong：

我您的所有代码都是未缓存的、那么从哪里进行了错误注入的缓存访问？

此致、

Josiitaa.

尊敬的 Josiitaa：

感谢您的支持。

客户现在了解了。 它们的 mcu1-1在 DDR 上运行、ECC 注入也在 DDR 上、因此根据您的评论、DDR 会进行缓存、这意味着它们没有遵循您的要求在非缓存区域中运行 mcu1-1。

然而、如果它们仍希望运行到 DDR、是否可以将 DDR 的一部分缓存、将 DDR 的一部分缓存至非缓存、它们如何在非缓存区域中运行 mcu1-1？

谢谢！

Kevin

尊敬的 Kevin：

首先检查 DDR 是否缓存在客户的应用程序中会更安全。

[userid="546457" url="~/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1418305/tda4ap-q1-how-to-enable-mcu4-0-cache-ecc/5517921 #5517921"]然而、如果他们仍然希望运行在 DDR 中、他们如何在非缓存区域中运行 mcu1-1？是否可以将 DDR 的一部分缓存、将 DDR 的一部分缓存为非缓存？

他们必须更改 MPU 区域配置、将 DDR 设置为非缓存、然后只能缓存阵列 a 和 b、如下所示：

uint32_t a[array_size]_ attribute __((section (".DDR_Cache.filebuf"))；

在使用 SBL 进行的 SDL 独立测试中、MPU 区域配置位于 statup.c 文件中。

同样、客户必须确定其应用中 MPU 区域配置的设置位置。

此致、

Josiitaa.

尊敬的 Josiitaa：

非常感谢您的解释！

由于客户的工程必须出于其他目的在缓存的 DDR 上运行 MCU1-1、这意味着他们无法在实际应用场景中启用缓存 ECC。

这时、客户只希望获得反馈、为什么如果注入缓存 ECC、MCU1-1必须在非缓存区域运行？

谢谢！

Kevin

尊敬的 Kevin：

当代码在缓存的存储器区域中运行时、代码中的每一行都将触发对缓存存储器的访问并触发错误注入。 您可以注入错误、但无法清除、因为每个操作都会导致错误。 因此、我们建议代码必须在非缓存存储器上运行、并且只能缓存用于触发错误的阵列。

此致、

Josiitaa.

尊敬的 Josiitaa：  

MCU1_1和 MCU4_0、 Icache 和 Dcache 不是相互独立的？  如果独立、 MCU1_1和 MCU4_0 DDR 地址范围不同、理论上不会发生"代码中的每一行都将触发对缓存存储器的访问并触发错误注入"。   如果注入错误和清除错误应用程序在一个正确的内核上运行,但在 两个内核上运行,则需要保持怀疑。

您好、Kong：

我不确定我是否理解这个问题。 您是否在问、为什么必须缓存 MCU1_1代码以进行 MCU4_0错误注入？

此致、

Josiitaa.

尊敬的 Josiitaa：   

 有。