[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] AM62A3-Q1：AM62A3-Q1 PDN Power SI 仿真问题

大家好！

我添加了与 PDN 相关的其他输入和去耦电容器作为参考。

器件焊球上的电压在任何时候都不得低于 MIN 电压或高于 MAX 电压。 该要求包括动态电压事件、例如交流纹波、电压瞬变、电压骤降等

PCB 设计和 DCAP 方案相结合形成电路板的配电网络(PDN)、它应满足为实现强大处理器运行而建议的 SoC PI 性能目标。 每个 PCB 设计都具有一个"唯一的指纹"、具体取决于元件放置、电源和 GND 布线、层分配、过孔数量和位置、DCAP 安装和环路电感、DCAP 参数等 因此、优化的 DCAP 方案因 PCB 设计而异、但同时提供的系统 PDN 应能满足 PI 性能目标。 同样、PI 仿真工具会影响估算的 ZvsF 响应值、尤其是在3.0MHz 以上、其中非3D 提取工具可以返回更好的 Z 值(比精度更高的3D 工具少10-15%)。 这是由于一个非3D 工具只 提取 PCB 的 X & Y 设计元件,并假设电源和 GND 通过电感。  由于电流从不同 PCB 层上的电源和 GND 平面穿过和流经 PCB 的3D 性质、3D 提取可提供更准确的串联电感估算、从而更准确地对电源和 GND 过孔进行建模、从而实现更准确的电源轨阻抗(ZvsF)响应

 如果不自行进行这项工作、就很难评论如何减少去耦电容器的数量。  也就是说、您可能会优先考虑高电流和敏感的模拟电压轨、然后在遇到空间限制时考虑共用旁路电容器。  具有尽可能接近 BGA 的 decap 将减少电感并提高其效率(在大多数情况下、具有共享 decap 的两个电源过孔将优于位于较远位置的 decap)。  

请注意、每个 PCB 设计都是独特的、可能需要不同的 DCAP 方案来满足建议的 PI 参数目标

关于去耦电容器、建议先从 EVM 去耦开始、然后根据电源仿真结果进行优化(如果需要)。

为便于放置电容和值、我们仍建议使用 EVM 以及 PDN 文档作为参考。

SK 使用1uF 的 EMI 滤波器、可以用 通用陶瓷电容器代替吗？

SK 性能已使用3T 端子电容器进行了测试。

您可能必须为每个电容器添加多个2T 电容、并执行仿真以最终确定值。

(50)[DRA829] SOM 原理图具有"NFM15HC105D0G"和"NFM18HC106D0G"-处理器论坛-处理器- TI E2E 支持论坛

(49) TDA4VH-Q1：TDA4VH 电源3T 滤波电容器问题-处理器论坛-处理器- TI E2E 支持论坛

PDN 应用手册

https://www.ti.com/lit/an/sprac76g/sprac76g.pdf

此致、

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