This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] TDA4VL-Q1:测试 ECC 错误注入的建议

Guru**** 2485235 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1445048/faq-tda4vl-q1-recommendations-for-testing-ecc-error-injection

器件型号:TDA4VL-Q1

工具与软件:

必须在哪个阶段测试 ECC 错误注入? 它应该在启动时进行测试还是可以在运行时进行测试?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    以下是有关何时必须在 ECC 聚合器上执行错误注入的一般建议:

    • 应尽可能在"‘s"时运行 ECC 错误注入和错误响应监控。
    • ‘s一种推荐的方法是在"关断"时运行 ECC 错误注入。

    当在"‘时间"内运行 ECC 错误注入时、系统集成商必须注意以下几点:

    对于互连端点:

    • ECC SEC‘注入在空闲周期内运行、因此可以在所有类型的校验器的"运行时"期间运行。
      • 奇偶校验和冗余位错误注入是无损的、可以在运行时完成。
    • ECC DED‘注入在空闲周期中运行、因此可以在"运行时"期间运行。
      • 只对奇偶校验器/冗余校验器类型执行 single-bit 错误注入。 这是因为它们可以保护奇数次注射。 奇偶校验上的2位注入不会导致故障。

    对于 RAM 存储器:

    • RAM 存储器上 SEC 的 ECC 自检、可在运行时运行:
      • SEC 的 ECC 自检注入一个可以内联纠正的 single-bit 错误。
    • RAM 存储器的‘runtime"期间的 ECC DED 错误注入应仅针对具有直接读取访问的存储器进行
      • 直接读取访问存储器的两个示例是 MSMC SRAM 和 MCU SRAM
      • ‘在"运行时"期间运行、所有其他嵌入式 SRAM 上的双位错误注入可能会导致下游 IP 读取不良数据
    • 仅‘‘s存储器上的 ECC 错误注入应在"启动"时运行、不建议在"运行时"期间运行。 了解有关这些存储器的更多信息

    此致、

    Josiitaa.