[参考译文] TDA4VL-Q1：确保 ECC 测试功能能够在 SRAM 中注入(1或2)位错误(确保正确完成注入错误机制)。

您好！  

\SDL\ESC\SDL\ECC\SDL_ECC.c 中的 SDL_ECC_injectError() API src 执行错误注入。

ECC 错误注入通过 ECC 聚合器进行、其地址可在 SDL\ECC\SDL\ECC\ECC\j784s4\SDL_ECC_SoC.h 的 SDL_ECC_aggrBaseAddressTable 中找到 src soc

此致、

Josiitaa.

您好、Josietaa  

我们需要确认错误注入方法、是实际错误还是在寄存器中写入错误指示来启动 ECC 功能？

第二点如何在复位之前(如果发生2位错误)或纠正(如果发生1位错误)在实际 SRAM 中监控此错误？

您好！  

Unknown 说：

我们需要确认错误注入方法、是实际错误还是在寄存器中写入错误指示才能启动 ECC 功能？

对于所有可访问的 RAM ID、SDL 会通过位翻转注入实际的错误。 如果 RAM ID 无法访问、则可以通过设置寄存器值强制执行错误。

Unknown 说：

第二点如何在复位前(2位错误)或纠正前(1位错误)在实际 SRAM 中监控此错误？

硬件会自动纠正 single-bit 错误。 我不知道是否有方法可以直接在 SRAM 中监控错误。 我会与内部团队核实并回复您。

您为什么要查找这些信息的任何原因？

此致、

Josiitaa.

您好！

感谢您的回答、

Unknown 说：

如果是所有可访问的 RAM ID、SDL 将通过位翻转注入实际错误。 如果 RAM ID 无法访问、则通过设置寄存器值强制执行错误。

您是指谁？

Unknown 说：

您为什么要查找此信息？

是的(当然有一个原因)、我们需要在我们的软件中集成 ECC、但在此之前、我们需要确保每个点、并确认对其进行压力测试的方法、因为在2位错误中、将发生复位、因此是关键的变化。

Unknown 说：

我将与内部团队核实并回复您。

将等待您的回答。

谢谢。

您好！

Unknown 说：

可通过谁来访问？

可由在 MCU R5F 内核中运行的 SDL 访问。

有关如何通过 ECC 聚合器注入错误的说明、请参阅 SDL 用户指南- https://software-dl.ti.com/jacinto7/esd/processor-sdk-rtos-j721s2/09_02_00_05/exports/docs/sdl/sdl_docs/userguide/j721s2/modules/ecc.html

发生 single-bit 错误时、ECC 聚合器能够检测和纠正这些错误、从而确保数据的完整性。 所有端点和校验器都支持单位错误注入。 奇偶校验和冗余类型校验器不支持 single-bit 纠错。

对于双位错误、ECC 聚合器可以检测这些错误。 但是、它无法纠正这些错误。 相反、它通过 ESM 中断将这些错误的出现发送到中央处理单元(CPU)(复位/中止是 CPU 或应用决定的)。 所有 RAM 包装器类型和端点的互连 EDC 校验器类型都受支持。 奇偶校验和冗余校验器类型不支持双位 ECC 错误注入。

有关 ECC 端点类型、请参阅此常见问题解答- https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1310234/faq-tda4vm-types-of-ecc-aggregators-ram-ids-and-error-injection

错误注入流程：
对于 ECC 包装器类型端点：
1.写入 ECC_ERR_CTRL1寄存器以设置需要应用 FORCE_SEC 或 FORCE_DED 的行地址。 如果设置了 FORCE_N_ROW、则忽略该位。
2.根据错误注入类型配置 ECC_RAM_CTRL bits[6：3]寄存器。
3.执行 ECC_RAM_CTRL 寄存器的回读以确认错误注入。 读取的值可能与写入的值不同、因为寄存器中的某些字段不可写入或可以自行清除。
4.对于 RAM 包装器类型、在注入错误后、为了触发错误中断、需要在注入错误的行(如果使用了 FORCE_N_ROW、则可以访问任何行)访问 RAM。
5.对于仅注入包装器端点,只有错误注入可以通过 ECC 聚合器实现,检测和校正由 IP 本身完成。

对于 ECC 互连类型端点：
1.通过向 ECC_CBASS_CTRL 寄存器的位字段写入0x0来清除任何挂起的错误注入
2.根据错误组和错误注入类型配置 ECC_CBASS_ERR_CTRL1和 ECC_CBASS_ERR_CTRL2寄存器。
3.写入 ECC_CBASS_CTRL 寄存器以注入错误。
4.对于互连类型、错误注入在空闲周期时发生、因此无需额外存取内存。

错误处理流程：

1.当发生错误事件时、用户可以查询并收集端点的相关信息、以及相对于相关 RAM 起始位置的偏移信息。
2.要清除 ECC 错误事件、请通过配置 ECC_RAM_ERR_STAT1 (用于包装类型端点)和 SDL_EDC_CTL_ERR_STATUS1 (用于互连类型端点)寄存器来清除 ECC 错误事件的挂起状态。
3. ECC_SEC_EOI_REG 寄存器用于重新触发脉冲中断信号、以确保处理任何嵌套的中断事件。 软件中断处理程序必须在当前中断处理例程结束时写入 ECC_SEC_EOI_REG 寄存器、以便新事件可以再次重新触发脉冲中断信号。 对于电平中断信号、ECC_SEC_EOI_REG 寄存器不起作用、不得使用。
4.使用 ESM 寄存器清除 ESM 错误中断。

此致、

Josiitaa.