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https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1460278/am6421-can-we-change-the-slew-rate-of-gpmc-pins
工具与软件：
尊敬的 TI 专家：
我们将 GPMC 配置为 NOR SRAM 接口以访问我们的 FPGA。
为了配置较少的读取周期数、GPMC 无法正确读取数据。 我们希望以更高的压摆率配置 GPMC_CS、GPMC_CLK、GPMC_OE 等。
可以这样做吗？ 以及如何实现？
祝你一切顺利
Jenny
您好、Jenny
感谢您的提问。
我假设这个问题是、我们要改变 GPMC 信号的驱动强度。
如果有、则表示我们目前不支持配置驱动器强度。
此致、
Sreenivasa
您好、Sreenivasa：
AM6x 产品上似乎已经在过去大约一个季度看到了许多有关配置 GPIO 驱动强度的 e2e 请求。
我很想知道 AM6x 产品团队是否考虑在未来的 SDK v12.0版本中、GPIO 驱动强度可设置？ 我认为产品团队会的 不会 在特定、定义明确的 IO 类型(例如 USB、用于以太网的*MII 总线引脚、I2C 的 SDA 线、CAN FD、任何 PCIe 引脚等)上执行此操作
如果是这样、执行此操作的软件将位于 SysConfig 中、需要与某些 CCS v21版本关联。 请检查。
谢谢
吉姆
尊敬的 Kallikuppa 和 Jim：
感谢您的答复！
是的、我认为"驱动强度"与"斜率"类似。
然后、在讨论中、TI 无法支持"配置驱动强度"的原因是什么？
因为 SDK/软件不支持、或者器件级没有这种配置。
我想知道是否有外设寄存器可以设置/配置来更改"驱动力强度"、以便可以尝试一下。
谢谢你。
Am64x LVCMOS IO 在 默认驱动强度下时序关闭。 因此、不建议更改驱动强度、因为这可能会导致所连接器件出现信号时序问题。
Jenny：
驱动强度和压摆率之间的比较不是很好。
(由我在旧的 TI ASIC 组织工作的高级 TI 同事告诉)压摆率涉及截止和饱和之间转换的时间速率变化。
驱动强度往往用于饱和期间输出中灌入的电流量(逻辑低电平、通常来自双极电路实现)
有效压摆率在很大程度上取决于 RC 负载；因此建议在输出驱动电路上进行 pspice 仿真。
此致
请参考我从器件专家处收到的输入：
AM64x 中使用的 IO 单元没有压摆率控制。
IO 单元的设计包含驱动强度控制功能、可有效地改变输出缓冲器的源阻抗。 更改输出缓冲器的阻抗可能会对信号压摆率产生很小的影响、但这并不是实现驱动强度控制的目的。 提供更改输出缓冲器驱动强度的方法的主要目的是使输出缓冲器的阻抗与 PCB 信号布线的阻抗相匹配。 当输出缓冲器阻抗与信号布线的交流阻抗不匹配时、该驱动强度控制功能用于消除信号布线上反射所导致的信号失真。
AM64x 中实现的驱动强度控制已设置为固定值、以使输出缓冲器源阻抗与典型的 PCB 布线阻抗匹配。 Am64x LVCMOS IO 在 默认驱动强度下时序关闭。 因此、不建议更改驱动强度、因为这可能会导致所连接器件出现信号时序问题。
总之、没有方法可以在内部控制 GPIO 输出信号的压摆率。 他们可以在信号上插入一个低通滤波器以降低压摆率。
"他们可以在信号上插入一个低通滤波器以降低压摆率"
是否有办法提高压摆率？
无法在内部控制 GPIO 输出信号的压摆率。
压摆率很大程度上取决于 RC 负载；这就是 建议在输出驱动电路上进行仿真的原因。
Sreenivasa 的好答案！ 如果最终客户担心、他们应运行输出驱动电路仿真。 我会认为目录 IC 没有任何方法来调整转换率(只有那么多的房地产和实际的功率能力在 IO 上的芯片;这也有助于 MTBF )
谢谢、Jim
Jim、您好！
