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器件型号：J722SXH01EVM 工具与软件：
大家好、团队成员：
我已经使用 SDK 10.01在 J722S 板上测试了 NAND 闪存性能。
我在启用 PHY 模式的情况下测试了 NAND、这意味着 PHY 模式正在刷写到 PHY 分区。 但观察到最大吞吐量约为28 MB/s 这是预期值吗？
根据 NAND 闪存(W35N01xx)的数据表、它在 SDR 模式下可支持的最大频率为166MB/s 因此、如果启用 PHY 模式、我们预计吞吐量应如数据表中所述。
您能否告诉我、为什么即使启用 PHY 模式也吞吐量值较低？
此致、
安·罗斯·安东尼
