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您好!
我们当前的开发基于 SDK8.6版本。 R5F 内核运行并收集数据、然后通过内核间通信将数据发送到 A53内核。 在此前提下、R5F 内核必须在 DDR 上运行
小程序。 我们现在要在 DDR 上保留10个字节以记录当前启动状态、例如软启动、硬启动、启动次数等 当时、该存储器的指定地址数据不会被修改
电源不会中断。 但目前我正在测试一些现象。 我在地址0xA0101000处定义了一个4字节的数据。 如果此地址不是我第一次需要的值、我会向该地址写入一个特定的值
然后重新加载该程序并再次运行它。 发现该位置的值变为0。 如何满足我们的需求?为什么上电后 DDR 的值变为0?他在哪里处理?
相同的函数在 DDR 上运行所需的时间比在 MSRAM 上更长。 是这样吗? 我们可以说在 DDR 上运行时有一些延迟吗?
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