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[参考译文] AFE7950-SP：AFE7950-SP 4T4R1F 参考设计中的去耦电容器放置

admin
Guru**** 2337880 points
Other Parts Discussed in Thread: AFE7950-SP, AFE7950EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/rf-microwave-group/rf-microwave/f/rf-microwave-forum/1516281/afe7950-sp-decoupling-capacitor-placement-in-afe7950-sp-4t4r1f-reference-design

器件型号：AFE7950-SP
主题： AFE7950EVM 中讨论的其他器件

工具/软件：

尊敬的 TI 团队：  

我们在设计中使用 AFE7950-SP、因此我们采用以下参考设计

https://www.ti.com/tool/TIDA-010260

设计名称 —  AFE7950-SP 4T4R1F 参考设计

在上面的设计中、我们看到使用的去耦电容器采用 0402 封装。 AFE790-SP IC 间距为 0.8mm、因此我们需要此 EVK 的参考布局来了解去耦电容器如何放置在可用的小空气间隙内？  

根据我们的理解和试验、除非我们将 0402 电容器放在交叉位置、否则我们无法将其装入 AFE 精细间距中、但这也会在设计中为每个引脚带来一个去耦电容器。  

此致、  

Garima R.  

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    TI__Guru**** 2337880 points
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    TI 团队大家好、  

    温和提醒 — 请在此处回复。  

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    尊敬的 Garima：

    我们建议遵循 AFE7950EVM、因为这将提供 AFE 的出色性能。 如果您无法使用相同量的去耦、 建议每两个 DVDD 焊球使用一个 0.1uF 的去耦电容器。 有关更多建议、请参阅 Schematic_Layout_ AFE79xx 安全文件夹中提供的“AFE79xx_AFE79xx_Checklist.xlsm"。“。  

    此致、

    David Chaparro