Other Parts Discussed in Thread: TPS43060EVM-199, TPS43060
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部件号： TPS43060
TI 团队大家好、
我正在对使用 TPS43060RTER 作为 15V→24V 升压转换器（高达 2A）的电路板上的辐射噪声问题进行故障排除。
该系统包含一个 868MHz 射频收发器、升压转换器会产生强大的干扰、从而显著降低天线性能。 即使没有负载、转换器也会产生强大的宽带噪声、并且施加负载不会大幅改变 EMI 水平。
使用近场探头、最高发射峰值在 120MHz 附近
在升压电感器区域周围检测到最强的磁场。
原始电感器是 TMPC1265HP-100mg-D、我还测试了屏蔽电感器 (SRR1280-100M)、但这没有明显降低干扰。
在低侧 MOSFET 栅极 (AOD66406) 上、波形显示恰好在开启时有很强的负骤降。
此下降比我在官方 TPS43060EVM-199 上观察到的深度要深得多
这看起来像是过度的振铃或栅源反弹、可能会产生高频辐射、并可能与 120MHz 峰值相关。
我尝试过的方法：
添加 10 Ω 栅极电阻器→Ω 会略微减少振铃、但负骤降仍然存在。
添加 SW 节点缓冲器 (R = 1 Ω、C = 100 pF)→无显著改善。
由于 120MHz EMI 峰值与示波器上看到的振铃频率相匹配、因此我怀疑栅极波形可能是主要的辐射源。
我的问题：
TPS43060 在正常导通期间、这种向下“踢“ MOSFET 栅极、还是表明存在寄生电感/耦合或布局问题？
2.这种栅极节点行为是否实际上是造成强 868MHz 干扰的主要原因？
是否有抑制这种影响的建议 — 栅极电阻器调优，附加缓冲器或检查元件？
谢谢！
