[参考译文] LMX8410LEVM：EVM 和电压增益异常现象

尊敬的 Alan：

随着您获得的增益、LO 似乎几乎没有在内部正确连接、这可能是寄存器配置问题造成的。 我可以为此测量获取寄存器编程吗？

此致、

Derek Payne

尊敬的 Derek：

感谢您的回复、

TICSpro 配置如下所示。
我们仅更改了 LO 频率、其他设置仍为默认值。
以防万一、我还附加 了寄存器编程文件(.TCS)  

我们取消选中了 LO_OUT_PD 选项、并确保电流正常。
顺便说一下、
我们在 R54和 R55的位置放置了两个50 Ω 上拉电阻器、以查看内部合成器的输出。
为了使电压接近数据表、我们需要设置哪些配置？

此致、
Alan Ke

e2e.ti.com/.../LMX8410LEVM_5F00_register_5F00_programming.tcs

Alan、

感谢您上传寄存器编程。  LO 路径似乎配置正确、 但我确实看到了一些可能会产生某种影响的东西：

• 看起来您在 合成器反馈路径中使用整数除法、因此除非您打算使用 MASK_SEED 来调整 LO 的相位、否则可以将内部 LO 配置为整数 混频顺序。 这样 就消除 了不必要的小数除法所产生的潜在合成器问题。
• 对于1.7V VCM、混频器页面的 IFA_PULLUP 和 IFA_CONFIG 值不正确。 请根据数据表中的表2更新适用于1.7V 的设置。 IF 放大器 VCMS 需要正确偏置、否则通道可能无法正常驱动。 (我注意到、最新版本具有过时的默认模式、该模式也会错误地设置这些值；我们已注意到这一点、并将在后续版本中进行更新。)

如果上述步骤不能改善问题、那么如果信号发生器功率设置为-10dBm、结果会是什么样子？ 我不认为射频输入功率的-10dBm 和-15dBm 之间应该有较大的间隙、但 检查起来很快。

此致、

Derek Payne

尊敬的 Derek：

感谢您的回复、
我已经解决了由我们的测试仪器导致的 EVM 问题。
但电压增益问题仍然未得到解决。

您是否可以在上面提到的第一点更具体？
如何设置要配置为整数混频顺序的内部 LO、什么是 MASK_SEED？

第二点、我根据 数据表中的表.2更新了混频器页面上的1.7V VCM 设置。
此外、我提供 了外部1.7V VCM、但它仍然没有改善增益结果。
当信号发生器输入功率达到-10dBm 时、我们得到-13.72dBm 通道功率。

最后、我们还有另一个问题。
对于系统要求、  
我们打算使用4.5GHz 的外部 LO 连接到混频器和
将内部 LO 频率设置为另一个频率作为输出、以便同时为其他电路鼠标供电。
我们发现在软件(LO 页面)上可以设置两个 LO 路径
我们将其中一个设置为内部 LO DIV 2、将另一个设置为外部 LO。
您是否可以提供任何建议或命令？

谢谢！
此致、
Alan Ke

Alan、

对延误表示歉意：

• 整数混频在 LO 页面上的"mash / Phase Shift"框中设置。  顶部的第二个框(将鼠标悬停在上下文窗口中的 MASK_ORDER)选择 多级噪声整形(Mash)函数； 这相当于 N 分频器使用的分数随机序列。 由于您使用的是100MHz OSCin 和9GHz VCO、因此您具有整数除法、并且可以想象使用整数混频顺序(无需抖动)。 启用小数随机化可以添加杂散、这可能会使 PLL 锁定变得更加困难、因此我想检查进入整数混频器(有效地从分频器反馈中移除混频器)是否会导致电压增益的任何改进。
• 混泥种子位于 LO 页面上的"mash / Phase Shift"框底部。 这可以有效地选择 随机化模式的开始位置、并可用于在输出端建立相对于 OSCin 输入的相位偏移。 当 OSCin 在多个 LMX8410L 上的相位相同时、这可用于多器件相位整形。 混搭种子的使用要求混搭顺序大于整数、因此如果您计划调整内部 LO 阶段、则需要使用 MASK_SEED。
• 外部 LO 只能通过多相正交发生器；外部 LO 没有通过2分频 I/Q 发生器的路径。  此外、外部 LO 路径可以是输入或输出、但不能同时输入或输出； 我不确定我是否理解您想要正确执行的操作、但在使用外部 LO 作为混频器的输入时、无法将内部 LO 作为输出提供给另一个 IC。

我仍不确定您的电压增益为何比预期低得多... 只是为了确认、您要将 IF 输出驱动为50Ω Ω 单端(100Ω Ω 差分)阻抗、对吧？

此致、

Derek Payne

尊敬的 Derek：

感谢您的回复。
您回答的第三点已经解决了我们的问题、但它仍然是电压增益的异常现象。
我实际上切 换到了整数混泥、但它没有任何改进。
关于电压增益计算，我在论坛中找到了另外一篇文章：
https://e2e.ti.com/support/rf-microwave/f/rf-microwave-forum/692578/trf371109-gain-formula
我参考了这篇文章、并尝试重新检查电压增益。
我们将信号发生器的射频功率-10dBm (70mV RMS (50 Ω))注入 RFIN (J11)、
并将 IF-QP 连接到示波器通道1 (单端)。
结果如下所示。
 
输入阻抗为50欧姆时，
我们得到93mV (峰峰值电压)、等于33mV RMS、功率为-18dBm。
根据该结果、如果输出电压小于射频输入电压。
此计算公式是否正确或您是否可以提供任何建议？

谢谢！
此致、
Alan

Alan、

33mV RMS 约为-16.5dBm (33mVpk 为-18dBm)；不过、这远低于我预期的电压增益223mV RMS (632mVpp)。  不过  、混频器看起来像预期的那样进行下变频。 我检查了您的编程、没有看到任何其他可以解释低电压增益的东西。  

您是否绕过了板载 LDO？ 如果没有、您是否确认 5V 电源处于标称电压？ 如果集成 LNA 未接收5V 电压、这可能会降低 增益。

我可以想象的另一个原因  可能是 在射频输入迹线上存在焊接问题或信号完整性问题。  如果您向下按射频输入附近的器件封装、您是否看到任何改进？ C1电容器是否看起来在焊盘上正确对齐？

此致、

Derek Payne