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[参考译文] AFE7070：AFE7070：IO 特性

admin
Guru**** 2482225 points
Other Parts Discussed in Thread: AFE7070

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/rf-microwave-group/rf-microwave/f/rf-microwave-forum/772814/afe7070-afe7070-io-characteristics

器件型号：AFE7070

在为 AFE7070设计电路板时、我遇到了多个问题：

  • LVDS_P/_N 输出如果未使用、是否需要端接？
  • 如果根本不使用 LVDS 输出、LVDSVDD18是否需要
    • 连接到1.8V？
    • 分别去耦？
  • 最大电流
    • I_IOVDD、
    • I_CLKVDD18、
    • I_DACVDD18、
    • I_LVDSVDD18和
    • I_DACVDD33
      在第5页的数据表中不方便地进行了指定。
      能否阐明这些器件的最大电源电流？
      这在低功耗大容量应用中是电源设计的核心。
  • 在双输入时钟模式下、DACCLK_P 和 CLK_IO 似乎可以相同、在这种情况下、数据线路应该在 DACCLK_P=CLK_IO 的负周期内被改变和完成改变。 是这样吗？
  • 可选：RFOUT 引脚是否能够在无负载的情况下承受运行(即阻抗不匹配->无穷大)？
  • 最佳：是否有一种模式允许在制造过程中进行射频信号路径测试、如果有、如何访问该模式以及必须提供什么 LO/时钟？

提前感谢您、

Marcus Müller í a

  • 0
    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    *外露散热焊盘是否连接到 GND？
  • 0
    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Marcus、

    此帖子已分配给负责的工程师、他将很快回复您。

    此致、

    Jim

  • 0
    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Marcus、

    通过 将寄存器地址0x06的位7设置为1、LVDS 输出可被断电。   断电时、您可以将 LVDS 输出引脚保持未连接状态。  

    LVDSVDD18需要连接到1.8V。

    是的、外露散热焊盘 应连接到 GND。

    如下图所示、在双时钟输入模式下、CLK_IO 需要满足数据的设置和保持时间要求。 此外、DAC 时钟和数据时钟必须进行频率锁定、并且在内部使用 FIFO 来吸收两个时钟域之间的相位差。 CLK_IO 和 DACCLK 的相位关系可以是 FIFO 初始同步时的任何相位、之后可以在 FIFO 输入和输出指针溢出之前移动最多±4个时钟周期并导致数据错误。

    此致、

    Neeraj

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    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢！ 这些信息已应用于电路板设计中。