[参考译文] 回复：TRF372017：载波泄漏

您好 Raghu、

您是否尝试在 Reg7下调整 I_OFFSET？ 还是在寄存器6下关闭 I & Q？ 此外、请尝试在 QP 和 QN SMA 输入上放置50 Ω 终端器。

优素福

我认为您没有看到回复、因为该主题帖太长、所以我拆分了主题帖。 请参阅上述 Yusof 的响应。 EVM 是交流耦合的、您可以接合内部 VCM。 正如您报告的那样、所有 I/Q 引脚上的直流电压应该大约为1.7V。 如上述 Yusof 所述、可使用 I/Q_OFF 寄存器进一步优化直流偏移以改善载波泄漏。

-RJH

在屏幕截图中、您似乎将 IOFF 固定为0、将 QOFF 固定为255。 如果这为您提供了最佳抑制、则基带路径上的某种情况不是很平衡。

将 I/Q_OFF 重置回默认值(128)。 在这种情况下、性能应约为-35dBm 至-40dBm。 使用电压表测量每个基带输入的直流电平。 它应该大约为1.7V、并且每个输入应该在几 mV 之内。 如果在这种情况下 I/Q 直流值存在很大差异(数十伏)、则情况不正确、不平衡超出了器件的调谐能力。

您可能只是在优化期间过度补偿。 这是一个常见的错误。 优化的设定点很敏感、因此需要进行细微的调整以获得最佳性能。 距离酒店只有几步之遥、这会产生很大的影响。 我建议从默认设置缓慢调整、首先是步骤10、然后是步骤1、在 I/Q 寄存器之间交替。

-RJH

您好、RJH/Yusuf、
非常感谢您的支持。 我能够抑制低于-80dBm 的载波泄漏。