工具/软件:
我们的次级侧寄存器设置如下:
-我们在次级侧设置 2V 增益并设置差分模式读数。
-我们禁用内部上拉。
我该怎么办,你有什么建议吗? 您能检查一下我的次级侧电路吗?
我将连接 IC 和次级电路。 我正在等待您的支持。

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工具/软件:

尊敬的 Ozge:
让我提出一些问题、以便更好地了解您的问题。
当您说“我们提供–1V 失调电压“时、您指的是什么? 次级侧上没有偏移。 为什么需要失调电压? 初级侧激励信号的振幅和频率是多少?
在次级侧预计会有多大的振幅? “ S1P、Scenter 和 S2N“是以不同的速率划分的、意思是什么“?
是否依靠 S1 和 S2 放大器的输入阻抗来衰减信号?
谢谢、
Maggie
您好、Maggie、
我们设置与 1V 失调电压相关的 IC 寄存器。 您可以在数据表中看到:6.12 电气特性–S1 和 S2 增益
我们必须设置失调电压、因为次级侧引脚电压 0-2V。由于传感器来自交流信号(产生负信号)、因此我们必须设置失调电压 1V。
在次级侧预计会有多大的振幅? “ S1P、Scenter 和 S2N“是以不同的速率划分的、意思是什么“?
özge:来自传感器信号每个针脚 S1P、Scenter、S2N。 您可以在我的电路中看到这一点。 我们必须分频这个信号,但如果我把 R204,R400,R406 电阻器,偏移值被分频,例如我把 10k 偏移值不是 1V,偏移值是 300mv。 因此、我将这些电阻器设置为 DNP、我看到 1V 偏移直流值。 现在、交流信号被划分为与每个引脚 S1P、SCenter、s2n 相同的速率。 例如 sensor_s1P - VDT_S1P rate:14、sensor_scenter - VDT_scenter:22。
那么应如何修改次级侧电路呢?
尊敬的 Ozge:
感谢您的答复。 是否可以使用较小的激励信号、从而使次级侧上的电压在 0-2V 限制范围内?
因此、如果我理解正确、您会看到 SENSOR_S1P 和 VDT_S1P 之间的衰减为 14、而您会看到 SENSOR_scenter 和 VDT_scenter 之间的衰减为 22。 您在 SENSOR_s2n 和 VDT_s2n 之间看到什么衰减? 如果降低 R202、R398 和 R403、这些衰减比率会发生什么情况? 我建议将它们降低到小于 100k 的值。
Maggie