工具/软件：
尊敬的 TI 专家：
在为定制电路板开发新应用时、我们观察到温度传感器读数不准确。
具体而言、 rl_fecssTempMeasTrig 即使环境条件稳定、通过获取的温度值也会在 60ms 的窗口内偶尔从大约 40°C 跳转到 130°C 附近。
相关代码段和变量状态会在附加的快照中捕获。
重新启动传感器后、温度变为正常。
您是否遇到过类似的问题？ 您能否提供进行深入调试的建议？
尊敬的 Kundan：
我测试了电压并发现电池电压 (mmwave_u16ADCrowData) 为正常。
PS：我们编码以获得温度前的电压。
尊敬的 Yongheng：
您能否确认出票率？ 显示此行为的坏板/测试的板总数？
此外、该 SOC 样片是量产样片还是预量产样片？ 您能分享器件标识吗？ 
我们的标准程序是执行 ABA 交换测试。 请您进行以下练习并告知我们结果。
谢谢、
昆丹
尊敬的 Andy：
器件标识如下图所示。 电源和电压测试将在稍后执行。
尊敬的 Andy/Kundan：
执行这些更改后、我无法重现问题。 数据可以引用附件。
ADC 数据 Raw 数据公式如下所示：
尊敬的 Kundan：
我 通过 mmwave_enableGPADC 配置 GPADC 读取参数。 这些参数都是您之前提到的。 因此、我不会测量外部电压。 我 不更改变量名称。
此致、
永恒
尊敬的 Kundan：
1 对于第一个问题、我们需要两三天时间来完成数据记录。 之后我们将提供数据。
2 关于第二个问题、我们最近针对该问题实施了一些变通办法。
有两种权变措施方法：
第一种方法 :我们在每次读取温度之前添加温度配置步骤。
MMWave_openLink。 
根据我们最新的测试、这两种权变措施目前都能按预期发挥作用。
但在我看来、这些改变是没有道理的。 因为代码更改不会影响逻辑。
回到您的第二个问题,正常和异常情况之间的区别是,我们集成了新的 SVM 逻辑和 MBD 工具生成的数据。
我们还验证了不存在存储器重叠问题、因为我们将与 SVM 相关的存储器重定位到 RAM 的不同部分、但问题仍然存在。
此致、
永恒
尊敬的 Kundan：
最近、我们仍然尝试更改一些代码并重现此问题。 移动代码 RAM 后、我们发现 ADC 的 RetVal 为–1027 (M_DFP_RET_CODE_RFS_GPADC_IFM_INVAL_SAMPLS)。 您知道此错误的含义吗？ 哪些参数会导致该误差？
此致、
永恒
尊敬的 Yongheng：
这是由于在 GPADC 配置 API 中对无效数量的 collect samples 字段进行编程。 采集样本应为非零值。 
谢谢、
昆丹
尊敬的 Kundan：
是否 有任何其他原因导致此“M_DFP_RET_CODE_RFS_GPADC_IFM_INVAL_SAMPLS"问题“问题？
我检查 IPC RAM 处的 GPADC 配置、 当出现问题时、值“0x820A470"与“与代码配置相同。
第一张图片是 IPC RAM、第二张是代码的 GPADC 配置。
此致、
永恒
尊敬的 Kundan：
B 行是 u16ADCRawData。
配置符合您的上述要求。
此致、
永恒