[参考译文] TMAG5273：中断阈值在错误的 BZ 值时触发、即使所有阈值都被禁用、也会触发

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感谢您在 E2E 上联系我们。  我很乐意帮助您了解这一点。  您是否可以与我分享您所使用器件的完整寄存器配置？

谢谢、

Scott

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有趣的是、您指出外壳似乎有影响。  我假设您正在比较发生 INT 脉冲时观察到的输出代码？  也就是说、在比较结果时、磁体没有主动移动？

是否使用任何值写入 T_THR_CONFIG 寄存器？  我可以想象、如果使用温度阈值、它可能会影响中断的行为。  您能否重新读回此设置以确认它仍然是 0b？  如果器件可能标记温度事件、可能有助于说明我们要观察的内容。

我假设您还完成了寄存器读取、将您的所有其他写入命令与器件中的实际锁存状态进行比较。

谢谢、

Scott

您好、Scott：

是—我已经详细检查了这一点：

• 我回读了 T_CONFIG寄存器并正确返回1、这仅意味着温度通道已启用进行测量—但实际上没有设置温度阈值、因此T_THR_CONFIG保持在默认值0b、不应导致任何温度中断。

我还会持续读取主环路中的原始磁场数据。 即使对中断引脚施加脉冲、INT 引脚也是如此 始终在 Bz 达到–10mT 时触发  只要传感器位于带有这个特定磁体的外壳内、

我已经尝试禁用阈值逻辑、但 每次仍会在–10mT 的强度下触发。 我确认其他寄存器会保留我的写入—我读回所有阈值和 INT_CONFIG 寄存器值并且它们匹配。 然而、该中断始终在此设置中的同一 Bz 点触发、即使我尝试关闭阈值、也无法正确清除。

如果更换磁体或外壳、同一传感器不会发生这种情况、因此我确信涉及到静态偏置磁场、但阈值和偏移逻辑似乎并不能完全清除。

感谢您的关注、欢迎您提出任何想法！

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我尝试使用您指示的相同设置来配置 EVM：

器件配置 1 (0x00)= 0x0008

器件配置 2 (0x01)= 0x0002

传感器配置 1 (0x02)= 0x0070

Sensor Config 2 (0x03)= 0x0020

T Config (0x07)= 0x0001

INT 配置 (0x08)= 0x0064

当所有 THR Config 寄存器都保留为 0x0000 时、即使使用+和 — 字段使每个输入饱和，也没有中断事件。

如果我配置 Z THR Config = 0x03、则 INT 引脚会在不存在磁场时发送连续脉冲。  当我为 Z 提供+3mT 输入时、一系列脉冲停止

如果我配置 Z THR Config = 0x00FC、则移除磁体后没有看到脉冲、但当 Bz <–3mT 时会启动一系列脉冲

设置对我来说似乎是正确的。  您是否尝试过将传感器换用另一个装置、以确认第二个设备上的相同行为？

此外、我想确保我理解正确、您正在从器件读取 Z 输出值以与阈值检测进行比较？  如果所有寄存器设置相同、那么器件逻辑会随外壳而变化、这在我看来很不寻常。 即使有次级磁性输入、该器件也会报告暴露于它的绝对磁场并据此触发阈值。

当您看到意外的 INT 信号时、您观察到的是恒定值还是一系列脉冲？  如果是恒定的、那么我可能会怀疑外壳中的某个器件将引脚拉低。

谢谢、

Scott

您好、Scott：

感谢您提供详细的反馈并仔细检查设置。
澄清我最终看到的内容：

• 简化模型 外壳内部 与磁体的接触、即 INT 引脚处于恒定的~3V 处  一旦我将磁体移开（磁体也位于外壳中，因此它会在一定程度上移开）。 仅配置了的阈值 Z 轴 分析。 因此、该引脚不会看到干净的脉冲、而只是保持高电平、就像被锁存一样。 我尝试过另一个传感器、但这个问题仍然存在。

• 不过、实际情况并非如此 外侧 ,我看到正确的 3.3V 下的脉冲  每当生成与我预期的中断事件时、都会产生一个中断事件。

• 所以、这有点令人困惑 配置完全相同 根据电路板是否位于外壳中、行为似乎有所不同。

我还不确定 为什么电路在带有磁体的外壳内时出现错误行为 —可能存在一些杂散耦合或一个将 INT 线路保持为高电平的恒定磁场。

我将不断深入研究它、可能会尝试屏蔽或重新定位磁体/外壳、看看它是否会改变行为。
如果您有任何其他建议、敬请谅解！

此致、
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INT 引脚是开漏引脚、因此它卡在上拉状态或未被触发。  如果所有寄存器都正确读回、我会怀疑上拉电压有干扰。  外壳中的某个器件是否会将该引脚短接至 Vcc？

谢谢、

Scott