[参考译文] AWR2E44PEVM：ECC 从自检中恢复

另外、使用此行“ (void) sdl_ecc_initMemory (sdl_mss_ecc_agg_mss、sdl_mss_ecc_agg_mss_RETRAM_ecc_ram_ID)；“、则 MSS 内核冻结且软件停止、在 RetRAM 上使用 ECC 是否有问题？

虽然我对 L2 存储器使用了相同的函数且未发生内核冻结、但“(void)SDL_ECC_initMemory  (SDL_MSS_ECC_AGG_MSS、SDL_MSS_ECC_AGG_MSS_MSS_L2RAMA_ECC_RAM_ID)；“-----    “  (void) SDL_ECC_initMemory (SDL_MSS_ECC_AGG_MSS、SDL_MSS_ECC_AGG_MSS_MSS_L2RAMB_ECC_RAM_ID)；“

尊敬的 Eslaa Mohsen：  

您可以参考 SDL 存储库中 ECC 驱动程序中的任何一个示例、以供您参考并更好地理解。  

使用此函数 sdl_ecc_injectError()、在 ECC 注入错误 (ecc self test) 后要使用什么函数来恢复注入错误的位？

sdl_ecc_injectError()

上述函数将在指定位置注入 ECC 错误。  

执行此函数后、我们需要对注入错误的指定位置进行读取访问。  

在读取到特定位置时、您将根据 ESM 错误类型（无论是 SEC 还是 DEC）获得一个中断回调函数。  

如果是 SEC、则会自动校正这些位。 - 自校正位是聚合器内部的。  

如果是 DEC、则说明这是不可恢复的错误。  根据您的客户特定要求、您可以采取纠正措施。  

sdl_ecclearNIntrPending (),但它没有使用属性“subtype"那么“那么,所以我如何保证在注入错误位作为自检后这些位将恢复?[/报价]

SDL_ECC_clearNIntrPending () 函数将 清除指定 memtype、subtype 和中断源的 N 个挂起中断。  

[引述 userid=“676489" url="“ url="~“~/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1617571/awr2e44pevm-ecc-recovery-from-self-test/6234987

另外、使用此行“ (void) sdl_ecc_initMemory (sdl_mss_ecc_agg_mss、sdl_mss_ecc_agg_mss_RETRAM_ecc_ram_ID)；“、则 MSS 内核冻结且软件停止、在 RetRAM 上使用 ECC 是否有问题？

[/报价]
让我在内部进行检查、下周很快就会联系您。  

谢谢您、  
Yogeshwaran Raguraman.

“如果是 DEC、则是不可恢复的错误。  根据您的客户特定要求、您可以采取纠正措施。 “ 因此、这意味着 SDL 不支持从自检到 DEC 的恢复、也不支持任何功能、不能手动完成、因为软件崩溃、尽管安全手册中提到要进行自检、因此我想讨论这些要求是否适用、我们是否需要这样做？

尊敬的 Eslaa Mohsen：  

我将用不同的方式表达我的话语,这样你就能更好地理解 ECC。  

如果是 DEC，则表示这是不可恢复的错误 — 意味着该设备将发出 nERROR。 它只会通过复位恢复。  

在 SDL 中、SEC 和 DEC 是手动测试的、  

手动意味着用户已在特定位置注入错误、并等待中断来检查 ECC 聚合器是否按预期工作。  

谢谢您、

Yogeshwaran Raguraman.  

一个相关的问题是、是否可以在启动时通过所有这些错误注入来启动软件？ 在安全手册中、我应该对内存中的这些部件 (L2 RAMA、L2 RAMB、RetRAM、MBOX) 进行单比特和双比特注射、它是否可以作为在 ECC INIT 进行的设计？ 一次将是 8 ISR、所有这些中断都可能 导致竞速、并且 ISR 可能被丢弃或导致错误的动态行为。 我已经尝试过这些 ISR、并且出现了错误的动态指示。

尊敬的 Eslaa Mohsen：  

是否可以在启动时启动所有这些错误注入的软件？

是的、可以在引导时注入错误  

作为要在 ECC init 进行的设计是否可以接受？

这取决于您的 SW 设计。 但在引导时进行 ECC 初始化测试是可以接受的。   

谢谢您、

Yogeshwaran Raguraman.