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[参考译文] TMAG5170-Q1：当 MCU 与霍尔传感器不同位于同一电路板时、如何处理系统级错误

admin
Guru**** 2826855 points

Other Parts Discussed in Thread: TMAG5170-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1622989/tmag5170-q1-how-to-handle-system-level-error-while-mcu-is-not-on-same-board-with-hall-sensor

器件型号： TMAG5170-Q1

尊敬的团队：

通常、在 SCCM 应用中、MCU 和霍尔传感器位于同一电路板上。 然后可在校准后将机械失准、振动、磁体温度梯度等系统级误差存储在 MCU 中。

但在一个新工程中、MCU 和霍尔传感器并非位于同一电路板上。 是否可以使用霍尔传感器来存储校准时的系统级误差？ 还是需要添加 EEPROM 来存储数据？

谢谢！

Marc

  • 0
    TI__Guru**** 2826855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Marc、

    TMAG5170-Q1 中内置了一些诊断功能、只要器件持续供电、就会保持锁存状态、直到读取。  对于这些标志、则不需要外部存储。  这些标志存储在 AFE_STATUS 和 SYS_STATUS 寄存器中。

    通过在传感器上设置输入磁场阈值、然后在发生事件之前将其用作 MCU 的标志、可以标记过度振动等其他功能。  该信息不会被锁存、但在满足条件时状态标志将保持置位状态。  为了长期锁存、需要在检测到警报脉冲时存储外部锁存、然后保留该脉冲、直到清除为止。

    但是、根据行为模式做出决策的高级跟踪算法需要驻留在 MCU 中。  可能是因为在某些情况下、外部 EEPROM 会有意义。  例如、行结束校准因数可能最好存储在 EEPROM 中。

    谢谢、

    Scott