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[参考译文] DRV425：将传感器插入 1T 磁场

admin
Guru**** 2837190 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV425

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1623124/drv425-expossing-the-sensor-to-a-1t-magnetic-field

部件号： DRV425

将 DRV425 传感器暴露于 1‑特斯拉磁场后、该器件是否可以承受？ 如果它仍然有效、它的性能是否会在等待一段时间（例如 20 分钟）后恢复正常、或者性能是否会永久降级？

 

 

 

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    TI__Guru**** 2837190 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Vanessa,  

    我认为这不会造成问题、但我希望与我们的一位设计人员确认这一点。 确认后、我会告诉您。 您可以在 此处  和 此处看到较大磁场使器件饱和 的示例（以及在此暴露下器件的一些行为）、但我还意识到、这些磁场与您提到的幅度并不接近。 我会在得到一些答案后继续跟进。   

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    TI__Guru**** 2837190 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Vanessa,  

    抱歉、这花费了很长时间、很遗憾、我没有找到任何确凿的数据来证明这是可以的。 我可以说是要注意 数据表中的迟滞、并请记住、旁路电容器/电阻器/连接器等其他元件可能会 变得磁化、从而导致 DRV425 看到额外的磁场。