Other Parts Discussed in Thread: AWR2944, UNIFLASH, SYSCONFIG, AWR2944EVM
器件型号: AWR2944
Thread 中讨论的其他器件: UNIFLASH、 SYSCONFIG、
您好、
我们在定制 PCB 上组装了 GD25Q64CSJGR、用于 AWR2944 QSPI 冲洗。
根据我从文档中了解到的信息、名称中的字母“Q“表明应在 sbl_uart_uniflash 过程中配置此闪存。
当我打开 C:\ti\mmwave_mcuplus_sdk_04_07_00_01\mcu_plus_sdk_awr294x_10_00_00_07\examples\drivers\boot\sbl_uart_uniflash\awr294x-evm\r5fss0-0_nortos\example.syscfg 时、我看到“Quard Enable Type“设置为'J641'DCSGGR 的数据表。 据此、我了解 默认情况 下 sbl_uart_uniflash 的代码会处理 GD25Q64CSJGR并知道会 在第二个状态寄存器中上升非易失性 QE 位。 -我的假设是正确的吗?
因此、基本上我甚至不需要编译、原始 C:\ti\uniflash_9.5.0\deskdb\content\TICloudAgent\win\ccs_base\mmwave_gen2\images\sbl_uart_uniflash.release.tiimage 能够为该刷新存储器提高 QE 位。 -这是正确的吗?
使用 sbl_uart_uniflash.release.tiimage 通过 uniflash 成功烧录。
在烧录期间、我加载了 sbl_qsp.release.tiimage 和 gpio_led_blink_awr294x-evm_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang.appimage — 之前预编译的.appiamge。
但是、当我将 SOP 从“101“切换到“100“时、即 SOP5 至 SOP1、并使用在 sbl_qspi.release.tiimage 之前加载的从 QSPI 加载.appimage、我看到闪存的 IO2 和 IO3 行不会移动并始终处于“高电平“、即它们的行为与我们保持的行为相同。 换句话说、尽管预计 sbl_uart_uniflash.release.tiimage 将对 QE 位进行编程、但这并没有发生。
当我尝试在释放模式下编译 sbl_uart_uniflash_awr294x-evm_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang.tiimage 以生成 sbl_uart_uniflash.release.tiimage(以便完全控制该过程)时、生成的.tiiimage 文件为 56MB、而 sbl_uart_uniflash.release.tiimage 则在使用我的 cslating 代码 sblrd 编译时无法完成。
所以我真的很困惑,为什么事情不起作用,而根据文档,他们应该。
非常感谢您的帮助
Arie
