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[参考译文] DRV5053:霍尔效应传感器的传感器区域

Guru**** 2928980 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV5053

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1645483/drv5053-sensor-area-for-hall-effect-sensor

器件型号: DRV5053

尊敬的 TI 传感器团队

 

我们目前正在使用 DRV5053 传感器设计一个元件。 对于最高灵敏度版本(–90mV/mT (VA))、我们将决定是否使用 TO-92 或 SOT-23 封装。 我们执行了仿真来优化在考虑参考面积的情况下的传感器放置。 我们有两个问题:

  1. TO-92 和 SOT-23 之间的检测区域(传感器芯片)是否完全相同?
  2. 在仿真中、我们应该使用什么实际“感应区域“? 在数据表中找不到它。  

谢谢你。

 

此致、  

Frederico

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Frederico:

    感谢您发送编修。 要回答您的第一个问题、是的、两种封装之间的芯片是相同的。 在仿真中、您会希望使用裸片的几何中心。 我建议使用裸片尺寸来找到中心、根据我当前参考的裸片 (C5023AJA1)、裸片尺寸为 56.8 X 29mil、因此中心距离裸片边缘大约 (28.4、14.5) mil。  

    此致、

    阿曼达  

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    尊敬的 Frederico:

    以便为您的用例提供更具体的答案。 尝试在 y 方向使用 1.54mm、在 x 方向上使用 2mm、在 TO-92 封装底部使用 1030um。 对于 SOT-23 封装、在 y 方向上使用 1.4mm、在 x 方向上使用 0.6mm、在封装底部使用 650um。  

    此致、

    阿曼达