[参考译文] PGA460-Q1：有关 PGA460-Q1 批量写入、EEPROM 映射和 EEPROM 写入周期的阐释

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https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1646613/pga460-q1-clarification-regarding-pga460-q1-bulk-write-eeprom-mapping-and-eeprom-write-cycles

器件型号： PGA460-Q1
主题中讨论的其他器件： PGA460

超声波传感器：CuSa-TR80-065-2000-TH68
变压器：B78416A2232A003

TI 团队大家好、

我目前正在使用 PGA460-Q1 进行定制 PCB 集成超声波传感器和外部控制器。 使用变压器驱动方法驱动超声波传感器。

我使用以下命令：

• EEPROM 批量写入：0x0C

• EEPROM 批量读取：0x0B

• TVG 批量读取：0x0D

• TVG 批量写入：0x0E

我想澄清一下批量写入和批量读取命令如何与 PGA460-Q1 的内部存储器架构进行交互。

目前我对这些命令是直接访问 EEPROM 存储器还是通过中间影子/图像存储器操作尚不清楚。

具体而言、我想确认以下几点：

1. EEPROM 批量写入命令是否直接将数据写入内部 EEPROM（非易失性存储器）？

2. 或者、批量写入命令是否会首先更新易失性影子/映像存储器、该存储器随后通过单独的 EEPROM 刻录操作复制到 EEPROM 中？

3. 在批量读取操作期间：

   • 数据是否直接从 EEPROM 读取？

   • 或者、EEPROM 数据是先复制到内部影子/图像存储器中、然后传输到控制器吗？

4. 上电后、哪个存储器源决定了活动器件配置和操作行为？

   • 影子存储器内容

   • EEPROM 内容  

5. 批量写入命令是否在内部占用 EEPROM 写入周期？

6. 如果是、以下各项之间的功能差异是什么：

   • EEPROM 批量写入命令

   • 使用 EE_CNTRL 寄存器进行显式 EEPROM 编程

7. 从生产的角度来看、建议使用哪种方法来更大限度地减少 EEPROM 磨损并提高长期可靠性？

   • 批量写入方法

   • 通过 EE_CNTRL 寄存器进行 EEPROM 编程

我希望澄清有关 PGA460-Q1 生产使用的建议 EEPROM 编程流程和最佳实践的信息。

感谢您的支持。

此致、
SUDHANSHU RANJAN