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[参考译文] DRV5055：在最强磁场下、DRV5055A1 芯片在不同批次中出现输出漂移问题

admin
Guru**** 2928980 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV5055

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1648478/drv5055-output-drift-issue-of-drv5055a1-chip-across-different-batches-under-the-strongest-magnetic-field

零件号： DRV5055

您好、在早期阶段、我们使用了 23 年批次 DRV5055A1 芯片、即使在最强磁场下、该芯片也能提供正常的线性输出。 最近、在这个项目中、我们使用了 25 年批次芯片。 它可以在正常磁场范围内提供线性输出、但在最强的磁场下、输出将为 0、否则输出值将不会处于线性状态、输出值将会显著漂移。

我们比较了两个芯片的 X 射线图像、发现内部基座和导线连接存在差异。 是否有其他客户报告了此问题？ 如何调查以确定此问题是否由 PCN 更改引起？

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    TI__Guru**** 2928980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mike：

    感谢您发布到传感器论坛！

    为了帮助我澄清我的一些事情：

    • 当输出变为 0V 或变为非线性时、将应用什么特定的磁场强度（以 mT 为单位）？
    • 您使用的电源电压 (VCC) 是多少？
    • 您能否分享 2023 年和 2025 年批次的批号？

    需要注意的是、如果您的“最强磁场“超过器件的±21mT 线性范围（对于 A1 型号）、您描述的输出行为（变为 0V 或漂移）可能表明器件正在进入饱和状态。

    此致、

    ~Alicia

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    TI__Guru**** 2928980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alicia：

    1.附件显示了我使用的磁体的形状和材料。  材料：N35、 磁体的最大磁通量为≥2200 GS/220mT。

    VCC = 3.3V

    3.批次号 2339 正常、批次 号 2550/2504 有缺陷。

    当我将磁体紧密连接到芯片时、会出现输出漂移现象。

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    TI__Guru**** 2928980 points
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    尊敬的 Mike：

    根据分享的其他信息以及靠近传感器放置的磁体图像、听起来肯定像是磁体的磁场使器件进入饱和状态。 需要注意的是、 当磁场将输出驱动至超过 Vcc−0.2V 时、器件的输出会饱和并变为非线性。

    2023 年版本和 2025 年版本之间的行为差异可能是由于此器件在 2024 年接受了 PCN (PCN #： 20240215001.1)。 但是、您看到的行为（在饱和时输出变为非线性）是可以预期的。

    e2e.ti.com/.../PCN20240215001.1.pdf

    此致、

    ~Alicia

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    TI__Guru**** 2928980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢你。 现在、我只需要测量输出端子在暴露于最强磁场时是否进入饱和状态、或者它在 (Vcc - 0.2V) 之前是否已处于饱和状态、然后我可以确认。

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    TI__Guru**** 2928980 points
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    我还需要问的是、当暴露在强磁场下时、该芯片将输出 0、并且在正常磁场下会表现出线性输出。 出现这种情况的原因是什么？ 芯片有问题吗？

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    TI__Guru**** 2928980 points
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    尊敬的 Mike：

    DRV5055 是双极器件、因此如果它输出 0 Vs >Vcc-0.2V、则所承受的磁场可能是磁体的北极、这会导致输出接近零、当其所承受的磁场超出器件的磁场范围、导致饱和时、则为 0V。

    此致、

    ~Alicia