您好，
我是印度伊顿印度创新中心 LLP 的 Saran (PCB 设计工程师)。 我们 正在设计 一种需要 将 DRV5013-Q1 IC 用于应用的设计。
我正在详细了解 DRV5013-Q1切碎器稳定霍尔效应传感器的布局指南。 除了标准数据表布局指南外，我们还需要更多关于其他电路与霍尔传感器位置之间部件间隙的信息。
需要多少间隙/注意事项才能使其余电路远离霍尔传感器体。
请分享所需信息，以便在我们的设计中遵循正确的布局规范，从而获得良好的霍尔传感器性能。
萨兰
这很难进行估算，因为它将取决于所涉及的所有几何体。 镍是为数不多的铁磁金属之一，因此，该引脚将与永久磁铁产生的磁场相互作用。 传感器的相对位置，此连接器引脚和磁铁将考虑传感器实际观察到的磁场。 如果该引脚携带的电流为3 A，那么它将产生一个按照右手规则缠绕电线的磁场，该磁场也将与永磁磁场发生交互。
传感器只对与传感器表面正交的磁场组件敏感，因此，无论设备是否检测到连接器中电流的磁场或附近的轨迹，传感器的相对方向都可以产生显著的差异。 
此外，应仔细考虑由于连接器中的镍而在灵敏度方向上磁场的任何偏转或浓度。 如果可能，我建议使用尽可能多的这些因素构建原型，以验证功能是否符合预期。 但是，通常，保持一定的间距与高电流轨迹的距离并限制附近的铁磁金属是一种安全的做法。
谢谢你，
斯科特
