[参考译文] TMP64：计算出的温度过高

我想、这说明了我需要做什么来解决偏移问题、而且似乎失调电压会因器件而异、因此每个电路板都需要与其关联的单独校准参数。  我认为这些器件无需单独校准即可获得数据表中所示的0.2%精度。   

我想我对这些器件的了解程度不及我想象的那么高。  您能帮助我了解一下为什么上面等式的 A0项不涵盖此类型的所有部分吗？

非常感谢您的回答和建议。   

在查看器件的数据表时、它在第7页指定了一个47k +/- 1%的 R25  
 TMP6431DECR 的设计电子表格 列出了25C 时45778在25C (+-1%)下的电阻
这种差异似乎直接对应于我们使用电子表格值计算温度时看到的偏移。   

实际上、我们仅尝试在未校准的情况下达到+-5C 测量目标、但电子表格似乎关闭了4度。  或者、或者器件与数据表不匹配、我觉得这有点难以吞没。

如果我们可以通过简单地构建该偏移来避免校准、这将节省一次性产品上的大量工厂校准。  我将在实验室中测量更多器件、以确保数学和器件一致。  但您的想法是什么？

谢谢 Josh！

David、

请记住 、电阻是计算的、而不是测量的、因为这些部件是硅器件、而不是电阻器。  我们绝不会对这些器件使用电阻、而是直接将 Vsense 转换为温度。 以这种方式转换它的准确性和速度更高。  与 NTC 相比、这种方法有一些变化、但如果实施得当、可以提供更高的精度和更低的长期漂移。  

在电路板上需要注意的另一点是 Rbias 电阻器。  如果您使用较低的 PPM 偏置、则信号变化将明显更小。  0.5%和50ppm 或更高的值效果良好。  PPM 额定值比容差百分比要重要得多。  您可能需要尝试在系统中使用更严格的 Rbias 电阻器和滤波而不进行偏移校准、以满足您的+/-5C 精度。  如果您执行偏移校准、您可能会在温度范围内将其降低至大约+/-1.5C。   

谢谢 Josh！

David、

请记住 、电阻是计算的、而不是测量的、因为这些部件是硅器件、而不是电阻器。  我们绝不会对这些器件使用电阻、而是直接将 Vsense 转换为温度。 以这种方式转换它的准确性和速度更高。  与 NTC 相比、这种方法有一些变化、但如果实施得当、可以提供更高的精度和更低的长期漂移。  

在电路板上需要注意的另一点是 Rbias 电阻器。  如果您使用较低的 PPM 偏置、则信号变化将明显更小。  0.5%和50ppm 或更高的值效果良好。  PPM 额定值比容差百分比要重要得多。  您可能需要尝试在系统中使用更严格的 Rbias 电阻器和滤波而不进行偏移校准、以满足您的+/-5C 精度。  如果您执行偏移校准、您可能会在温度范围内将其降低至大约+/-1.5C。   

此外、这里有一个低通滤波器可以执行的操作示例。  以下测量是在未应用偏移的情况下进行的。  参考温度为85.1C。    

我同意上述所有内容。   

我无法完全解决的一个问题。  如果我在"电流偏置"设计电子表格中输入42.553uA 以匹配数据表条件、则25C 时的电阻表为47k、 电阻波形和电压波形选项卡似乎也与47k 和2V 温度25.1C 相符。  将偏置电流移至35uA (接近3.3V 47k 时、电阻会按预期下降。  

对于47k 顶部电阻器的电压模式偏置、这似乎应该对应于4V 的 Vbias。  在电压设计表中、如果我为 Vbias 输入4V 电压、则表中的25C 电阻为45801、 2V 电压产生29.2C？

这两个电子表格之间不应该等效？

PS 电压模式模板中具有4伏偏置的其他器件在25°C 时与其数据表相匹配、因此我倾向于认为那里有一个 Snafu。
即、4V 下的 TMP6331可产生25C 电阻100K、 25C 下的 TMP 6131可产生10K……

David、

我认为 TMP64器件存在错误是正确的。  我正在与电子表格的作者进行核对、并将告知您我发现的内容。

谢谢！  同时、我得到了10K 5度表、缩放至47k (将所有值乘以4.7)、并生成了一个新的多项式。  这似乎是将偏移误差置于我的实验室探针实际数据的误差限值内  。我验证了该方法、方法是将10K 乘以10以生成100K 表进行比较、并且与100K 相比、计算出的误差为1%到2% 数据 似乎是非常有效的方法、直到出现新的电子表格。   

这对我来说好像是物有所值。  4V 偏置电压可产生47k。  2V 输入多项式得到25C。  此时、我的校正后的实验室数据在我的设备的误差范围内。