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[参考译文] PGA460-Q1:"写入用户 EEPROM"和"编程(刻录) EEPROM 存储器&quot 之间有何区别?

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: PGA460, PGA460-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/631688/pga460-q1-whats-the-difference-between-write-user-eeprom-and-program-burn-eeprom-memory

器件型号:PGA460-Q1
Thread 中讨论的其他器件:PGA460

我正在尝试了解 PGA460 EEPROM 编程过程。  在示例代码中、它说:

2) 2)批量写入所有阈值以清除 THR_CRC_ERR。
3) 3)批量写入 PGA460_USSC.C 中具有预定义值的用户 EEPROM
4) 4)更新模拟前端增益范围和批量写入 TVG。
5) 5)运行频率、衰减、温度和噪声测量的系统诊断
6)对 EEPROM 存储器进行编程(烧录)以保存用户 EEPROM 值

在一种情况下、示例代码会以某种方式将缓冲区中的值写入 EEPROM:

   SERIAL1.WRITE (buf12、sizeof (buf12));//批量 EEPROM 的串行发送主数据

但在另一种情况下、它说能够对 EEPROM 进行编程、它需要执行以下操作:

/向 EE_UNLCK 写入"0xD"以解锁 EEPROM、并向 EE_CNTRL 寄存器的 EEPRGM 位写入"0"
   regAddr = 0x40;//EE_CNTRL
   regData = 0x68;
   unsigned char buf10[5]={synctyte、SRW、regAddr、regData、calcChecksum (SRW)};
   Serial5.write (buf10、sizeof (buf10));
   延迟(1);
   
   //向 EE_UNLCK 写入"0xD"以解锁 EEPROM、并向 EE_CNTRL 寄存器的 EEPRGM 位写入"1"
   regAddr = 0x40;//EE_CNTRL
   regData = 0x69;
   buf10[2]= regAddr;
   buf10[3]= regData;
   buf10[4]= calcChecksum (SRW);
   Serial5.write (buf10、sizeof (buf10));
   延迟(1000);

那么,什么时候需要“刻录”,什么时候可以“刻录”?

感谢您的澄清

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Martin、
    PGA460 EVM 用户指南(www.ti.com/.../slau659a.pdf)的以下部分 可能有助于澄清:

    3.5.1.6.1 EEPROM 编程
    GUI 执行的所有写入命令都写入影子寄存器(易失性存储器)、而不是直接写入 EEPROM。
    器件的所有操作都引用了影子寄存器。 在启动时为 PGA460-Q1器件
    将存储在 EEPROM 中的值加载到影子寄存器中。 如果 PGA460-Q1器件已通电
    影子寄存器被清除、影子寄存器被基于 EEPROM 的重新加载
    值。
    要将影子寄存器中的当前值保存到 EEPROM、请单击"Program EEPROM"按钮
    将这些值刻录到 EEPROM 中。 影子寄存器烧写到 EEPROM 后
    器件会在下电上电之前保留最近更新的值。
    要将基于 EEPROM 的值重新加载到影子寄存器中、请单击 Reload EEPROM (重新加载 EEPROM)按钮。
    阈值存储在 RAM 中、不能烧写到存储器中。 阈值必须是
    在 PGA460-Q1的每个实例循环通电和启动后写入。

    总之、EEPROM 写入命令仅更新基于易失性存储器的影子寄存器、而 EEPROM 烧录命令将来自影子寄存器的值保存到实际 EEPROM 存储器空间中。 每次使用设备时都不需要执行 EEPROM 刻录命令、除非您要保存正在使用的设置。 在评估期间、EEPROM 写入或寄存器写入命令将更为常用。