[参考译文] 霍尔效应电流传感器、用于感应10mA 电流

你(们)好、Hardik

感谢您的查询。 我们目前不在办公室、将于周一返回给您。

您好、Hardik、

10mA 将产生一个低磁场、很难使用霍尔传感器进行测量。  使用安培定律中的以下公式、您可以计算 电流源的磁场。   假设与电流源的距离为0.5mm、电流为10mA、我们将得到4uT。  这对于霍尔传感器来说太低、无法测量。  您可以通过创建一个线圈来放大磁场来改善这一点。  您还可以在磁集中器周围创建一个线圈、并强制磁通量通过霍尔传感器。  由于您现在为您尝试测量的电流创建了一个电感器、因此存在这方面的问题。  另一种选择是使用我们的磁通门传感器之一。  它们可以测量较低的磁场、但使用此方法、您必须增加磁场或屏蔽外部磁场。  就像参考一样、耳的磁场约为60uT。  附近的任何其他电流也会产生磁场。  这是很多信息、所以我可以在你告诉我你有什么问题以及你在想采取什么方向后、给你更多信息。

b =(µ0 I)/(2πr)

µ0 = 4π X 10-7

 R =以 m 为单位的距离

I =电流、单位为安培

尊敬的 Carlos：

您共享的这些信息非常有用。

现在、我可以添加一些有关我的要求的更多信息、即电流范围、10mA 至8A。

(实际工作-如果电流小于或等于20mA、我必须考虑机器已断电
并在大于20mA 时通电。)

我需要更多时间来决定电路设计。
同时、如果您建议我购买符合此电流范围/要求的产品、将会有所帮助。

谢谢、此致、
哈迪克

Hardik、

我还有更多后续问题。  您需要磁解决方案的原因是什么？  基于分流器的器是否不起作用？  是否需要特定带宽？  更高的带宽要求将更加倾向于以下第一个选项。

您是否可以使用磁芯？  如果是、您可以考虑使用 DRV421。   我们的 DRV421EVM 用户指南中展示了一个磁芯、 我们的 TI 设计 (采用闭环补偿磁通门传感器的±15A 电流传感器参考设计) 具有另一个版本的磁芯。  该内核的缺点是需要为您的应用设计该内核。  根据低侧测量(10mA)和 测量周围的外部磁场所需的精度、您可能仍需要在磁芯周围进行一些磁屏蔽。

如果您无法使用内核 、则可能需要将两个组件(DRV425用于低电流、DRV5053用于更大电流)与磁通集中器结合使用。  在我们的 TI 参考设计" 使用霍尔传感器进行非接触式和精密交流电流感应"中、有一个磁通集中器示例。 它在某种程度上也是一个磁芯、但不会对 DRV421器件的用途进行一些权衡。  可能需要另一个解决方案屏蔽。

尊敬的 Carlos & Javier：

我的同事哈迪克问的问题，我还有一些疑问。 霍尔效应传感器中带宽的重要性是什么？
我们应该在哪里以及如何考虑它？ 它是否仅用于信号的噪声部分？

请回答我的问题

谢谢、此致
Varatharaj A.

您好、Varatharaj、

我们其中一个霍尔传感器 DRV5053的带宽 为20kHz。  DRV425磁通门传感器限制为47kHz。  DRV421受变压器内核和2MHz 输出差分放大器的限制。  我不确定您要测量的频率范围 、或者您是否需要更高的瞬态带宽。  如果您使用磁性集中器、带宽也可能受到限制。  

如果您使用这些磁传感器器件测量非常低的磁场、噪声也会成为一个问题。   您可能需要限制测量的带宽。   一旦找到适合您的应用的正确路径、我可以帮助您满足这一要求。