您好!
我对 DRV425器件有一些问题。
我打算使用其中的几个传感器来估算永磁体相对于传感器位置的3D 位置。 目标是在几 mm 到几(5+) cm 的范围内检测该磁体。 初级 FEM 仿真告诉我们、我们希望在传感器位置测量低至~ 2uT 的电流、并且传感器可能会遇到高达200mT 的磁场。 我们希望测量带宽为~100Hz。
我对某些可能适用于我的产品的情况有一些疑问、希望您能为我提供更多见解。 如果数据表中清楚说明了相关内容或已在论坛中进行了解释、我会提前道歉、但我没有注意到这些内容!
我相信使用此传感器和合适的 ADC 时的噪声和温度漂移将保持在2uT 以下。 因此、我认为目前最大的障碍是初始偏移和迟滞。
Q:最坏情况下的传感器偏移为+/-8uT。 您能不能对该偏移的长期稳定性说些什么呢? 换言之、如果我在生产后对该偏移量进行一次补偿、假设条件保持不变、该补偿在我的仪器的预期使用寿命(几年)内是否有效? 或者我是否需要每年/每月/… 校准/调整。
问:您提到了应用-/+10mT 扫描时的典型迟滞为1.4uT。 导致此迟滞的原因是否有简单的答案? 当我们应用+/-200mT 时,此数字是否会改变? 如果我们可以预测传感器位置的实际场强和方向、那么这种迟滞是否有一定的可预测性?
问:如果我将传感器放置在 x 方向上的2mT 均质字段中。 我对 y 和 z 方向敏感的传感器有什么期望? 是否存在串扰或传感器在垂直于灵敏度轴的方向上完全不敏感。 (如果此字段为200mT 该怎么办?)
提前感谢您的回复、
此致、
贾斯珀 Keuning