[参考译文] DRV421：仿真模型

Yutong、您好！

很遗憾、我们没有适用于此器件的模型。  我将对您需要使用导通 FET 在20Ω Ω 负载下获得4.2V 最大电压或(210mA)的输出信号进行仿真。  我是从数据表中获得的。  因此、PFET 和 Nfet 的组合约为3.8Ω μ F。  现在、这是 H 桥接、因此您在理想情况下将两者用于获取输出电流。  此外、该电流由传感器位置处的磁场控制、是 H 桥的反馈。  否则、环路将不起作用、您只会获得正确的输出。

您能在原理图中向我展示您尝试执行的操作吗？

我正在仿真可以为补偿绕组产生更多电流的外部电流驱动器

Javier、您好！

我已找到此文档、因此我想在仿真中使用它。 由于零磁通电流传感器的主要与霍尔传感器截然不同、因此必须确保 IC 的输出电流与 外部 OPA 是否能够为我的应用产生足够的电流。 就是这样。 因为我的输入为0.25A、这是 IC 可以产生的最大电流、但它仍然不会在 OPA 输出端产生呼出电流。 因此、我想问、如果我认为它的方式有误、我的意思是、是否仅仅输入0.25A 的电流源就这么轻松？ 但我不知道 IC 是什么产生的。

Yutong、您好！

IC 的输出是一个电压、我们会对该电压进行调节、从而在传感器处获得零磁场。  由于 FET 导通电阻和电压、H 桥的输出电流将受到限制。  如果您有一个类似我在上面分享的设计的增益级、那么电流现在将由输出 FET 驱动。  然后、DRV421仅根据可见磁场调节电压、进而控制电流以使磁场恢复为零。  此电压可以驱动一个线圈、但会受到上文所述的限制。  DRV411和 DRV421通过补偿线圈的反馈是相同的、而补偿线圈的输出驱动也非常相似(如果不相同)。   

谢谢！

Javier、您好！

对于文档 TIPD184中的电路、我还有另一个问题。 VSS 是什么意思？ 我想用+15V 和-15V 为电路供电。 据我了解、在本例中、VDD 为+15V、VSS 为-15V。 但我不确定在这种情况下 VSS 是等于 GND 还是-15V？ 因为它还连接到芯片本身的 GND 引脚和稳压器。

Javier、您好！

我想谈谈 DRV421中的应用、我稍后会用到这些应用。 不考虑 DRV411。 我知道 VSS 应该是-15V。 现在问题是、如果将 VDDpin 连接到5V、GND 引脚连接到-15V、则20V 会出现压降、这远远低于芯片的容差。 或者您是说、在这种情况下5V 以 VSS 为基准、因此它实际上处于-10V 的电平？ 因为在数据表中、电源电压 范围为3.0V 至5.5V、所以如果 VDD 上存在负电压、这怎么会起作用？