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[参考译文] IWR1843：该芯片的电源和复位信号满足上电序列的要求、但它无法正常工作。

admin
Guru**** 2551210 points
Other Parts Discussed in Thread: IWR1843

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1336217/iwr1843-the-chip-s-power-supply-and-reset-signals-meet-the-power-up-sequence-requirements-but-the-chip-does-not-work-properly

器件型号：IWR1843

大家好、

我们基于 IWR1843芯片设计了自己的雷达硬件板。
该电源解决方案使用了 LP87524JRNFRQ1。
当我们测试 IWR1843电路板时、其中一个硬件电路板在上电后未能在-35度的低温环境中启动。
它将在高于-20度时正常启动。
所有其他电路板都在-35度和-40度下正确引导。
我们对有问题的硬件板进行了调试、并为芯片提供了3.3V、1.8V 和1.0V 电压。
一切都很正常。
我们使用了示波器来测量电源和复位信号的时序、这也符合手册的要求。
(nRESET 复位信号的上升沿比 VIOIN 电源晚约10ms)

当我们测量了一个40M 的晶体振荡器、当它没有启动时、没有输出振荡波形。
我们已确认匹配电容器没有问题。

那么、您能告诉我发生该问题的具体原因吗？
这是否意味着该芯片已损坏或其他原因？

此致、

安明

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！  

    我们正在研究您的问题。 请预计在接下来的24-48小时内回复。  

    此致、

    约什

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    尊敬的 Yasuaki：

    您能否确认硬件上的所有组件是否支持高达-30度？

    此致

    安盖特

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    Ankit 您好！
    是的、硬件上的所有组件都支持高达-40度的温度。 (包括-30度)
    此致、
    安明

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    尊敬的 Yasuaki：

    带隙引脚需要一个47nF 电容器。 此引脚上没有正确的电容器可能会导致启动问题、尤其是在负温度下。 您能否确认 使用了推荐的47nF 电容器器件 GRM155R71E473KA88？

    此致

    安盖特

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！
    感谢您的答复。

    我们使用220nF 的电容器。
    因此、我了解我们的电路板可能会遇到启动问题。
    我想进一步了解这个问题。
    请提供以下信息：

    1. 我们的大多数电路板在使用220nF 电容器时不会出现此问题。
      这些电路板将来是否仍不会有此问题？
    2. 可能发生此问题的温度是否因电路板而异？
    3. 能否解释一下这个问题背后的机制？

    此致、
    安明

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！

    1.现在工作的电路板将来可能不工作、因为电容器的介电特性可能会在负温度下发生变化。

    2.没有固定的 温度,该问题很可能发生,这可能会因电路板而异。

    3.在较低的负温度下,电容器的介电特性可能会发生变化,导致电容升高,从而导致启动故障。 因此、建议仅使用47nF 电容器器件- GRM155R71E473KA88。

    此致

    安盖特

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！
    感谢您的提示回复。

    我知道、随着容量的增加、问题往往发生得更频繁。
    我想进一步了解这个问题的机制。
    为什么容量更大时问题变得更可能？

    此致、
    安明

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    尊敬的 Yasuaki：

    电容越大、其充电时间就越长。 该器件会检查是否存在用于启用振荡器的 VBGAP 电压；如果  VBGAP 电压在特定时间内未出现、则内部 RC OSC 将不会被启用、上电也不会继续。

    此致

    安盖特

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！
    感谢您的答复。

    除了启动时外、VBGAP 的电容器是否有影响？
    例如、温度或电压出现波动时、电容是否会影响运行？

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！

    是的、 VBGAP 的电容器 除了在启动时会产生影响。 VBGAP 用作所有电源的基准电压。

    此致

    安盖特

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！
    感谢您的答复。

    我担心降低 VBGAP 引脚所连接电容器的电容会产生的负面影响。
    在这种情况下、一个常见的问题是旁路电容器不再工作、从而增加了噪声等。
    减小连接到此器件中 VBGAP 引脚的电容器的电容时、应采取哪些预防措施？
    此外，我们需要做什么核查来消除上述关切？

    此致、
    安明

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    尊敬的 Yasuaki：

    您可以在 VBGAP 引脚上使用标准47nF 去耦电容器、该电容器已通过验证、可用于所有 TI EVM 和参考设计。

    您能否详细说明一下降低电容的含义？

    此致

    安盖特

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    Ankit、您好！

    我所说的"降低电容"是指将 VBGAP 引脚上的电容器从220nF 更改为47nF。
    我知道当从220nF 更改为47nF 时、可以保证运行。
    到目前为止、我们一直在制造和评估连接了220nF 的电路板。
    我们希望更改为47nF、但在这样做之前、我们需要确认这一变化的影响不是问题。
    因此、您能否告诉我们在从220nF 更改为47nF 时操作的变化以及我们应该注意的影响？

    此外、我们还在验证启动故障。
    建议可能由于"电容更高"而导致启动失败、
    因此在正常启动的电路板上、我们尝试用470nF 的电容替换 VBGAP 电容器、但我们无法重现启动故障。
    您能告诉我们为什么我们不能复制它吗？

    此致
    安明

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    尊敬的 Yasuaki：

    不能保证电容值越高时会发生启动故障、但发生故障的概率越高。 负温度为-30、-40°C 时较高电容会出现启动问题、此问题已通过47nF 去耦电容解决。

    运行不会有任何剧烈的变化或影响、启动序列仍将相同、VBGAP 电压将与之前一样提供0.9V。 但是、 解决启动故障问题的启动时间(微秒)将得到改善。

    此致

    安盖特

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好、Ankit

    感谢您的答复。 我想向您提供更详细的信息。

    1.是否有办法可靠地引起启动问题? 如果是、您能告诉我如何操作吗？

    我们还想对将 VBGAP 电容器从220nF 更改为47nF 时发生的微小变化进行评估。
    我了解启动时电压的增加。
    您能否回答有关更换电容器所产生的影响的以下问题？

    2.1.射频传输特性是否会发生任何变化？
    2.2.射频接收特性是否会有任何变化？
    2.3.射频传输期间功耗是否会发生任何变化？
    2.4.噪声或杂散的辐射特性是否会发生任何变化？
    2.5.是否有任何其他更改？
    如果是、您能否告诉我会发生哪些变化以及将会发生多少变化？

    此致、
    安明

  • 0
    TI__Guru**** 2551210 points
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    尊敬的 Yasuaki：

    1.不可以,没有 办法可靠地引起启动问题。

    2.所有问题的答案都是否定的，更换电容不会对射频性能或功耗产生任何影响。

    此致

    安盖特

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    感谢您的答复。

    如果 VBGAP 电容器为47nF、那么是否会由于 VBGAP 电容器处于从-40℃ 到105℃ 的工作温度范围内而出现任何问题(启动、雷达性能)？

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！

      由于 VBGAP 电容器在从-40℃ 到105℃ 的工作温度范围内更改为47nF、因此启动或雷达性能不会出现任何问题。

    此致

    安盖特

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    TI__Guru**** 2551210 points
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    您好！

    我们计划将 VBGAP 的容量更改为47nF、但我们有一些问题。
    建议使用 GRM155R71E473KA88、但考虑到可用性和其他因素、
    我们还考虑使用其他电容器。
    因此、我们想了解有关电容器选择的一些信息。

    1.如果我们使用 GRM155R71E473KA88、那么在整个温度范围内是否不会出现启动问题？
    2. VBGAP 电容器的电容值为多少，超过该值可能出现启动问题？
    3. VBGAP 电容的最小电容值是多少？

    此致、
    安明

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    尊敬的 Yasuaki：

    1.对于 TI 测试和验证、我们尚未 在 VBGAP 的整个温度范围内遇到任何启动问题。

    2. 没有针对同一用途的 。 在之前使用了220nF 电容器的 EVM 中 、会遇到启动问题。

    3.  没有针对同一用途的 。  47nF 系统未遇到启动问题。

    此致

    安盖特

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    您好，感谢您的答复。

    我们需要选择与 GRM155R71E473KA88等效的电容器。
    如果以下性能与 GRM155R71E473KA88相同、
    我们可以假设即使与其他电容器产品相比、也不会出现启动问题吗？

    • 电容：47nF±10%
    • 温度特性：X7R

    为了避免启动问题、是否有任何其他必要的性能要求？

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    尊敬的 Yasuaki：

    是的、这些规格应该是可以的。 请确保工作温度为-55°C 至125°C。

    此致

    安盖特

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    您好、Ankit
    感谢您的答复。
    我们测量了硬件电路板的 VBGAP 电压。 我们有关于电压波形的问题。

    图1显示了当将47nF 电容器连接到 VBGAP 引脚时的 VBGAP 电压上升波形。
    VBGAP 电压分两步增加的行为是否正确？

    图1 VBGAP 电压(C=47nF、T=+25°C)

    无论 VBGAP 引脚上的电容器是47nF 还是220nF、VBGAP 电压完全上升所需的时间都没有太大差异(图2和图3)。
    这是因为如果 VBGAP 引脚上的电容器为47nF、则 VBGAP 电压将分两步上升。
    这种差异并不仅仅是电容造成的、因此我们担心它会导致启动问题。
    当器件检查 VBGAP 电压时、阈值电压是多少、判断时间是什么时候？
    阈值电压和判断时间中是否存在任何温度特性？

    图 2 VBGAP 电压(C=47nF、T=-35°C)

    图 3 VBGAP 电压(C=220nF、T=-35°C)

    此致、
    安明

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    尊敬的 Yasuaki：

    在47nF 的情况下、VBGAP 电压上升两步是预期行为。 这是为了避免任何可靠性问题、方法是在稳定后执行快速启动和慢速启动、以避免任何 启动故障。 如果您检查图形、在负温度升高220nF 的情况下、上升时间、对于47nF 的情况、可能会导致引导故障。

    已对所有 PVT 角跨 VBGAP 的47nF 去耦电容器进行了验证。  阈值电压和判断时间与温度特性无关。

    此致

    安盖特

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    Ankit 您好！

    考虑到电压上升的行为分为两个步骤、以避免引导失败、
    这是否意味着电压单调增加、如图 有问题吗？

    此致
    安明

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    您好 Yasuaki：

    电压单调升高不一定意味着存在问题。

    此致

    安盖特

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    Ankit 您好！

    非常感谢您的回答。

    此致
    安明